功率MOSFET管驱动变压器设计说明.doc

. . . 功率MOSFET管驱动变压器设计 [导读]摘要：对具有驱动变压器的功率MOSFET管驱动电路的动态过程进行了分析，推导了驱动变压器设计参数（绕组电流有效值，变压器功率）的计算方法，定量分析了变压器漏感和电路杂散电感对开通过程的影响，并通过仿真和试验证了这套计算方法的正确性。 1 引言 作为开关电源的开关器件，功率MOSFET管具有开关速度快、工作频率高的特点，适用于高频开关电路。此外，在并联使用时，由于MOSFET管具有正温度系数，可以自动均流，无需均流电路，方便扩流，这也是目前其他功率开关器件不可替代的优点[1]。 为了加速开通，减少损耗，对MOSFET管的驱动电路的基本要求是内阻要小，驱动电压尽量高（但不能超过栅-源击穿电压）；为了加速关断，应给输入电容提供低阻放电通道；为了抑制高频振荡，栅极引线尽量短，减少线路分布参数；为了防止静电感应导致栅极电压上升引起误导通，栅极不允许开路，大功率MOSFET管截止时，栅极最好施加负电压[2]。 MOSFET管的驱动电路有多种形式，可以用TTL电平直接驱动，但更多采用隔离驱动，在驱动信号输出端与MOSFET管栅极之间用光耦或磁耦实现与主电路电隔离。 驱动变压器是常用的磁耦元件，起到传输驱动信号和功率的作用。设计合理的驱动变压器，不仅可以提高MOSFET管开关性能，而且体积小、重量轻，成本低。 2 MOSFET管内部电容与变压器驱动栅极电路 2.1 内部电容 MOSFET管内部电容，也称极间电容，是栅极、源极、漏极之间的寄生电容。开关电源最常用N沟道增强型MOSFET管[3]，内部电容分别为：栅-源极间电容Cgs，栅-漏极间电容Cgd，漏-源极间电容Cds，如图1[1,3]。 与漏-源短路条件下小信号输入电容Ciss的关系： Ciss=Cgs+Cgd (1) 与栅-源短路条件下小信号输出电容Coss的关系： Coss=Cds+Cgd (2) 与小信号反向转换电容（反馈电容）Crss的关系： Crss=Cgd (3) 驱动电路的任务就是针对MOSFET管开通、关断过程中的寄生电容进行充放电。需要说明的是，内部电容并非常数，会随着开通、关断过程中极间电压的变化而变化，使得开通、关断的动态过程比较复杂[3]，但是，对于栅极驱动，主要考虑上升、下降时间内（短于整个动态过程时间）的驱动波形，可以把Ciss看做常数进行分析。 2.2 MOSFET管变压器驱动栅极电路 图2为变压器驱动栅极电路，是驱动电路的最后部分。变压器T1提供驱动信号，经由保护二极管D1、栅极串联电阻R1向栅极输入电容Ciss充电，当栅-源极间电压Vgs大于门限开启电压VTh，MOSFET管导通，进而进入饱和区，完成开通过程；当变压器驱动信号低电平时，三极管Q1导通，栅极电容的电荷迅速通过R1，Q1构成的闭合回路释放，达到快速关断的目的。电阻R3防止栅极开路，稳压管D2限制信号幅度不能超过栅-源击穿电压，起到保护作用。 3 变压器设计与试验 为了简化计算，将变压器视为方波脉冲电压源，MOSFET管开通过程的等效电路如图3。 开通过程就是零状态响应过程，三要素[4,5]： 初始值uciss(0)=0 (4) 由于R3R1，稳态值； (5) 式中，U1—变压器输出电压，V 时间常数τ=(R1//R2)×Ciss≈R1Ciss； (6) 暂态过程： 栅极电压： (7) 栅极电流： (8) 栅极电阻R3电流：i1(t)≈0 (9) 栅极串联电阻R1电流： (10) 电路瞬时功率： (11) 上升时间：tr=2.2τ=2.2R1Ciss (12) 忽略三极管Q1饱和导通管压降0.2V，MOSFET管关断过程的等效电路如图4。 关断过程即可看作零输入响应过程，栅极电压U1，主要元件依然是R1，Ciss（由于R3R1,忽略电阻R3），基本