纳米材料基础-第五章电学性能1.pptVIP

晶体管 Transistor 纳米晶金属电导的尺寸效应 在一般电场情况下，金属和半导体的导电均服从欧姆定律，稳定电流密度 与外加电场成正比，即： 式中，为电导率，单位为 ，其倒数为电阻率 。 电阻率的定义 在完整晶体中，电子是在周期性势场中运动，电子的稳定状态是布洛赫波描述的状态，这时不存在产生阻力的微观结构。对于不完整晶体，晶体中的杂质、缺陷、晶面等结构上的不完整性以及晶体原子因热振动而偏离平衡位置都会导致电子偏离周期性势场。这种偏离使电子波受到散射，这就是经典理论中阻力的来源。这种阻力可用电阻率 来表示： 式中， 表示晶格振动散射的影响，与温度相关。 表示杂质与缺陷的影响,与温度无关，它是温度趋近于绝对零度时的电阻值，称为剩余电阻。杂质、缺陷可以改变金属电阻的阻值，但不改变电阻的温度系数。 纳米材料电阻率的表达式 由于纳米晶材料中含有大量的晶界，且晶界的体积分数随晶粒尺寸的减小而大幅度上升，此时，纳米材料的界面效应对剩余电阻 的影响是不能忽略的。因此，纳米材料的电导具有尺寸效应，特别是晶粒小于某一临界尺寸时，量子限制将使电导量子化(Conductance Quantization)。因此纳米材料的电导将显示出许多不同于普通粗晶材料电导的性能，例如： 纳米晶金属块体材料的电导随着晶粒度的减小而减小。 电阻的温度系数亦随着晶粒的减小而减小，甚至出现负的电阻温度系数。 金属纳米丝的电导被量子化，并随着纳米丝直径的减小出现电导台阶、非线性的 I-V 曲线及电导振荡等粗晶材料所不具有的电导特性。 纳米材料电导的特性 纳米Pd块体的比电阻 Gleiter等人对纳米Pd块体的比电阻的测量结果，表明纳米Pd块体的比电阻均高于普通晶粒Pd的比电阻，晶粒越细，比电阻越高。且电阻率随温度的上升而增大。 纳米Pd块体的电阻温度系数 Gleiter等人测量得到的纳米晶Pd块体的直流电阻温度系数与晶粒直径的关系。可知，随着晶粒尺寸的减小，电阻温度系数显著下降，当晶粒尺寸小于某一临界值时，电阻温度系数就可能变为负值。 左图是纳米晶Ag块体的组成粒度和晶粒度对电阻温度系数的影响。当Ag块体的组成粒度小于18nm时，在50～250K的温度范围内电阻温度系数就由正值变为负值，即电阻随温度的升高而降低。 纳米晶Ag块体的晶粒度对电阻温度系数的影响 粒度对电阻的影响 (a) 粒度为11nm, (b) 粒度为18nm, (c) 粒度为20nm 纳米Cu块体的电阻率 纳米Cu块体样品电阻率与温度的关系： A 粒度10 ±3nm ，B 粒度为10 ± 4nm，C 粒度为10 ± 5nm，D粒度为12 ± 4nm，E是粗晶。 纳米材料基础 北京航空航天大学 于荣海 材料的电学性能 1. 电性材料 (Conductor，Semiconductor, Dielectric ) Electrical conduction How many moveable electrons are there in a material (carrier density)? How easily do they move (mobility) ? Semiconductivity Electrons and holes Intrinsic and extrinsic carriers Semiconductor devices: p-n junctions and transistors Conduction in polymers and ionic materials Dielectric behavior Electrical potential：V ? Current：I [volts] [amperes] Ohms law: I = V/R R is the electrical resistance [ohms, ?] R due to intrinsic resistivity ? [?-m] + geometry (length L, area A through which the current passes) R = ?L/A In most materials (e.g. metals), the current is carried by electron