半导体二极管的特性及主要参数.pptxVIP

1.2　半导体二极管的特性及主要参数 一、 二极管的结构与符号 二、 二极管的伏安特性 三、 二极管的主要参数 四、 二极管电路的分析方法 第一章　半导体二极管 一、 半导体二极管的结构 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管 符号： VD 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 平面型 第一章　半导体二极管 二、二极管的伏安特性 正向特性 Uth 死区 电压 iV = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U  Uth iV 急剧上升 0  U  Uth Uth = (0.6  0.8) V 硅管 0.7 V (0.1  0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 IR U BR 反向击穿 UBR  U  0 iV = IR 0.1 A(硅) 几十 A (锗) U UBR 反向电流急剧增大 (反向击穿) 第一章　半导体二极管 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 特别注意： 温度对二极管的特性有显著影响。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。 变化规律是：在室温附近，温度每升高1℃，正向压降约减小2～2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 第一章　半导体二极管 温度对二极管特性的影响