半导体二极管58023.pptxVIP

第二章 门电路; 2.1 半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 ;;2.二极管动态开关特性 在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。;2.1.2 三极管的开关特性; 此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区， 其特点为IC＝βIB。 三极管工作在放大状态的条件为：发射结正偏，集电结反偏 ; 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。 三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞ IBS 电压条件为：集电结和发射结均正偏 ; 2.2 分立元器件门电路 ;二、二极管或门电路;四、组合逻辑门电路;2、或非门电路;2．3 CMOS门电路;工作原理;二CMOS门电路;三.CMOS传输门;四．三态门;2．4 TTL集成与非门电路;数字集成电路可以分成两大类：一类以双极型晶体管为基本器件，称为双极型数字集成电路，属于这一类的有TTL等；另一类以MOS晶体管为基本器件，称为MOS型（或单极型）数字集成电路，属于这一类的有NMOS和CMOS等。 ;按照集成度（即每一片硅片中所含元、器件数）的高低，可将集成电