模拟电子技术第二章.pptxVIP

内容提要： 本章首先介绍晶体三极管的基本结构、放大原理，共射极条件下的输入、输出V?I特性曲线，以及晶体三极管的主要参数。然后以共射极放大电路为例，介绍放大电路的基本分析方法，即图解法和小信号模型法。接着讨论晶体三极管的另外两种放大组态：共基极、共集电极放大组态。重点对晶体三极管三种组态的增益、输入电阻、输出电阻和频率响应进行分析，最后总结三种组态的特点。 ;2.1 晶体三极管;2.1.1 三极管的结构及类型;NPN型三极管的截面图;NPN型;半导体三极管的型号;处于放大工作状态： 发射结正偏：;（1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。; 另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。; 三个电极上的电流关系:;(2) IC与 IB 之间的关系：;(1) 输入特性曲线 iB=f (uBE)? uCE=const;（2） uCE ↑ → Ic ↑ 。;饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。;1.电流放大系数; 2.极间反向电流; 3.极限参数; ① U（BR）EBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大