模电第五章场效应管.pptxVIP

第5章 场效应管放大电路;定义：;5.1.1N沟道增强型MOSFET;2、工作原理（N沟道增强型）;2、工作原理（N沟道增强型）;;(1)、输出（漏极）特性曲线;(1)、输出（漏极）特性曲线;(2)、转移特性曲线：iD= f（ vGS ）| vDS = 常数 ;(2)、转移特性曲线：iD= f（ vGS ）| vDS = 常数 ;5.1.2 N沟道耗尽型MOS管;5.1.2 N沟道耗尽型MOS管;5.1.2 N沟道耗尽型MOS管;5.1.3 P沟道MOSFET管;对增强型MOS管，沟道产生的条件是：;5.1.4 沟道长度调制效应;（1）开启电压 VT: VDS为某一定值（如为10V）使iD等于一微小电流（如50μA）时的VGS 。这是增强型FET的参数。 （2）夹断电压 VP:VDS为某一定值（如为10V）使iD等于一微小电流（如20μA）时的VGS。这是耗尽型FET的参数。 （3） 饱和漏极电流 IDSS: VGS=0且︱ VDS ︱＞ ︱ VP ︱时对应的漏极电流。常令︱ VDS ︱＝10V， VGS=0测出的iD就是 。这是耗尽型FET的参数。 （4）直流输入电阻RGD:漏源间短路，栅源间加一定电压时的栅源直流电阻，MOS管的RGS可达109Ω～ 1015Ω 。 ;当不考虑沟道的调制效应（ λ＝0）时， 当考虑沟道的调制效应（ λ≠0）时，对增强