数字电子技术基础 第二章.pptVIP

2.1 基本逻辑门电路;教学基本要求;1 逻辑门电路：;(1)加正向电压VF时，二极管导通，管压降VD可忽略。 二极管相当于一个闭合的开关。;静态特性及开关等效电路;(2)加反向电压VR时，二极管截止，反向电流IS可忽 略。二极管相当于一个断开的开关。;反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开; 可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压vi控制的开 关。当外加电压vi为一脉冲信号时，二极管将随着脉冲电 压的变化在“开”态与“关”态之间转换。 动态特性定义：二极管作为开关使用时，;2、二极管的动态特性;二极管从正向导通到反向截止的过程;Vi由VF→－VR，由于存储电荷 电荷的存在，存储电荷不会马上 消失，它减小的两种途径：;二极管从反向截止到正向导通的过程; ;截止状态;iC＝ICS≈;三极管的开关时间 ;(1) 开启时间ton 三极管从截止到饱和所需的时间。 　　　　　　　ton = td +tr td ：延迟时间　　 tr ：上升时间; 开关时间随管子类型的不同而不同，一般为几十～几百纳秒。开关时间越短，开关速度越高。一般可用改进管子内部构造和外电路的方法来提高三极管的开关速度。;二极管与门电路;V; 输 入;二极管或门电路;输入端A、B、C都为0V ;输入端中有任意一个为+5V;二极管二输入或门电路;三极管反相电路;2.2.5 TTL与非门的其他类型;多发射极BJT; TTL与非门的基本电路 ;2. TTL与非门的工作原理 ;输入级;输入级;1. 采用输入级以提高工作速度 ;; 电路在输入脉冲波形的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长的时间。; ;阈值电压VT;3、TTL与非门的抗干扰能力;1.输入负载特性;开门电阻和关门电阻; 扇入数: 取决于门的输入端的个数 ;1;例 查得基本的TTL与非门7410的参数如下： IOL＝16mA，IIL＝－1.6mA，IOH＝0.4mA，IIH＝0.04mA.试计算其带同类门时的扇出数。 解： (1)低电平输出时的扇出数 ;2.2.5 TTL与非门的其他类型;线与 : 将几个门的输出端并联使用，以实现与逻辑， 称为线与 。;逻辑符号; 集电极开路门上拉电阻Rp 的计算 ;当VO=VOH;2. 或非门;若A??B两输入端都为高电平 ;3. 三态输出门; 工作原理;⑵ 当 时：;(3)、输入端二极管的作用;三态与非门的应用：单向总线传输;三态与非门的应用：双向传输;1.74系列---标准TTL系列，属中速TTL器件，其平均传输延迟时间 约为10ns，平均功耗约为10mW／每门。 ;（1）输出级采用了达林顿结构，T4、T5组成复合管电路，降低了输出高电平时的输出电阻，有利于提高速度，也提高了负载能力。; 2.3.1 NMOS门电路; 大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而TTL系列不可能做得很小，但MOS管的结构和制造工艺对高密度制作较之TTL相对容易，下面我们介绍MOS器件。;1、NMOS反相器---饱和型负载管反相器;2、NMOS与非门;3、NMOS或非门; ; ;V; 在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。 ;1、与非门; ;当输入端A、B都为高电平时，; ; CMOS传输门电路 (TG) ; ;设TP和TN的开启电压|VT|=2V， 且输入模拟信号的变化范围为－5V到+5V。;2.3.4 CMOS门电路的系列及主要参数;2．CMOS逻辑门电路的主要参数 ;输入噪声容限:;类型 参数;功耗分为:;扇入数：取决于逻辑门的输入端的个数。;2.3.5 集成逻辑门电路的应用;v;灌电流;驱动电路必须能为负载电路提供足够的驱动电流;(1)、 CMOS门驱动TTL门;(2). TTL门驱动CMOS门(如74HC ）;(1). 用门电路直接驱动显示器件;解：LED正常发光需要几mA的电流，并且导通时的压降VF为1.6V。根据附录A查得，当VCC=5V时，VOL=0.1V，IOL(max)=4mA，因此ID取值不能超过4mA。限流电阻的最小值为 ;(2). 机电性负载接口;(1)、多余输入端的处理措施;本章小结