晶体管的频率特性与功率特性.pptxVIP

第 4 章晶体管的频率特性与功率特性 4.1 晶体管的频率特性4.2 高频等效电路4.3 高频功率增益和最高振荡频率4.4 晶体管的大电流特性4.5 晶体管的最大耗散功率PCm和热阻RT 4.6 功率晶体管的二次击穿和安全工作区 4.7 高频大功率晶体管的图形结构 ● —— 本章重点? 晶体管的频率特性? 晶体管的功率增益和最高振荡频率?晶体管的大电流特性?晶体管的二次击穿? 晶体管的安全工作区 在交流工作状态下，P-N结的电容效应将对晶体管的工作特性产生影响。 当频率升高时，晶体管的放大特性要发生变化，使晶体管的放大能力下降。 当晶体管的放大能力下降到一定程度时，就无法使用，这就表明晶体管的使用频率有一个极限。 主要的高频参数 截止频率 特征频率 高频功率增益 最高振荡频率 4.1 晶体管的频率特性α截止频率 （共基极截止频率） 表示共基极短路电流放大系数的幅值|α|下降到低频值α0的1/时的频率。 即=时，|α|=α0/。 β截止频率 表示共发射极短路电流放大系数的 幅值|β|下降到低频值β0的1/时的频率。 即=时，|β|=β0/ 反映了电流放大系数β的幅值 |β|随频率上升而下降的快慢， 但并不是晶体管电流放大的频率极限。 晶体管电流放大的频率极限是后面将要讲到的特征频率。 特征频率 表示共射短路电流放大系数的幅值 下降到|β|=1