晶体管热学二次击穿开关特性 设计考虑.pptVIP

晶体管的热学性质 晶体管的二次击穿和安全工作区 晶体管的开关特性 高频晶体管的设计考虑 晶体管的热学性质 晶体管参数与温度的关系 结温与热阻 热稳定性条件 器件版图结构 1.晶体管参数与温度的关系 反向截止电流与温度的关系 室温下上式右端为10%/ 由于ICEO=ICBO/（1-a),所以ICEO与ICBO有相同的温度关系 IE及IC与温度的关系 由于IE及IC有较大的正温度系数，双极型晶体管特别是大功率双极型晶体管的温度稳定性是一个很严重的问题。 当IE及IC不变时，VBE与温度的关系 利用PN结正向电压的这种温度特性，可以制作半导体结型温度传感器。 与温度的关系 雪崩击穿电压与温度的关系 雪崩击穿电压随温度的增加而缓慢增加。这是由于温度提高后，载流子与光学波声子散射的几率增加，使得在相同的电场强度下，载流子在两次碰撞之间积累的能量不如低温时候的多。 2. 结温与热阻 由于集电结是晶体管的主要热源，结温TJ也指的是集电结的温度。由于晶体管的工作区域很薄，其中的温度变化不大，因此Tj也是晶体管的工作区域的实际温度。对于硅管，最高允许结温在150-200度的范围。超过这个范围一方面漏电流太大，另一方面本征载流子浓度大大增加。 3. 热稳定性条件 S为热反馈因子。S1是稳定的，S1是不稳定的。由此可见，防止热击穿最有效的措施是降低热阻。 得到热稳定的