电子技术吕国泰版半导体二极管和三极管.pptxVIP

第一章半导体二极管和三极管电子技术第一章 半导体二极管和三极管第一节 半导体的导电特性第二节 PN结第三节 半导体二极管第四节 稳压管第五节 半导体三极管第一节 半导体的导电特性一、半导体的特点二、本征半导体三、N型半导体和P型半导体第一节 半导体的导电特性观看多媒体动画教学片《半导体器件》之一半导体基础知识链接动画片独特的导电特性导电能力导电能力导电能力第一节 半导体的导电特性一、半导体特点1.热敏特性：Ta2.光敏特性：光照 3.掺杂特性：掺入微量元素 414 ++简化模型硅原子结构第一节 半导体的导电特性二、本征半导体价电子纯净的具有晶体结构的半导体。4价元素（硅、锗） 4 4 4 4 4 4第一节 半导体的导电特性共价键结构晶体结构—— 纯净半导体原子排列整齐共价键结构 ——两个相邻原子共有一对价电子,价电子受相邻原子核的束缚,处于相对稳定状态。 4 4 4 4 4 4第一节 半导体的导电特性共价键结构本征激发本征激发——价电子受热或光照后，挣脱束缚成为自由电子。常温下仅极少数。 4 4 4 4 4 4第一节 半导体的导电特性共价键结构本征激发 4 4 4 4 4 4第一节 半导体的导电特性共价键结构本征激发自由电子空穴 4 4 4 4 4 4电子空穴 两种载流子 ： 成对出现第一节 半导体的导电特性共价键结构本征激发自由电子空穴 4 4 4 4 4 4第一节 半导体的导电特性共价键结构电 场自由电子电子流电子流——电场作用下，自由电子的定向移动。 4 4 4 4 4 4第一节 半导体的导电特性共价键结构电 场空穴流电子递补 空穴流——电场作用下，电子依次递补空穴的运动。 4 4 4 4 4 4第一节 半导体的导电特性共价键结构电 场空穴流电子流半导体电流 = 电子流 + 空穴流N型半导体——掺入5价元素 P型半导体——掺入3价元素5价元素——磷、砷等。3价元素——硼、镓、銦等。第一节 半导体的导电特性三、N型半导体和P型半导体 杂质半导体——在本征半导体中掺入适量的杂质元素(非半导体元素)。5 4 4 4 4 4 第一节 半导体的导电特性N型半导体多一个价电子+5 掺杂5 4 4 4 4 4 4N型半导体示意图本征激发第一节 半导体的导电特性N型半导体+5 掺杂正离子电子多子-------电子少子-------空穴 4 4 4 4 4第一节 半导体的导电特性P型半导体多一个空穴3+3 掺杂 4 4 4 4 4P型半导体示意图本征激发第一节 半导体的导电特性P型半导体3+3 掺杂空穴负离子多子-------空穴少子-------电子第二节 PN结一、PN结的形成二、PN结的单向导电性第二节 PN结观看多媒体动画教学片《半导体器件》之一半导体基础知识1链接动画片P区N区第二节 PN结 一、PN结的形成　空穴负离子正离子电子正负电荷中和，不带电空间电荷区（耗尽层）内电场第二节 PN结多子扩散运动少子漂移运动暴露了失去空穴的负离子暴露了失去电子的正离子P区N区扩散运动——浓度差造成运动。复合——自由电子填补空穴，两者同时消失的现象。漂移运动——载流子在电场力作用下的运动。空间电荷区（耗尽层）内电场第二节 PN结多子扩散运动 少子漂移运动P区N区浓度差→多子扩散运动→复合→产生内电场→阻碍多子扩散→有利少子漂移运动→扩散运动和漂移运动达到动态平衡→形成一定宽度PN结PP N结N内电场名称第二节 PN结 宽度为几微米~到几十微米电位差约为零点几伏PN结: P区和N区交界面处形成的区域空间电荷区: 区内只剩离子,带电耗尽层: 区内载流子少第二节 PN结二、PN结的单向导电性（一）外加正向电压——导通（二）外加反向电压——截止ID内电场外电场RE第二节 PN结外加正向电压PN结很大P区N区多子中和部分离子,使空间电荷区变窄外电场抵削内电场,有利于多子的扩散限流,防止电流太大I反内电场外电场RE外加反向电压第二节 PN结PN结很小P区N区少子背离 PN 结移动，,空间电荷区变宽外电场增强内电场,有利于少子的漂移第三节 半导体二极管一、二极管的结构二、二极管的单向导电性三、二极管的伏安特性四、二极管的主要参数五、二极管应用举例PN阳极阴极符号-+第三节 半导体二极管一、二极管的结构1.构成：2.符号：3.分类：点接触型硅二极管面接触型按材料分按结构分锗二极管平面型第三节 半导体二极管 金属丝N型锗片阴极引线铝合金小球外壳点接触型PN结二氧化硅保护层金锑合金N型硅底座N型硅平面型面接触型I反IDEERR第三节 半导体二极管二、二极管单向导电性电流不为零　（一）外加正向电压——导通，ID大截止，I反很小（二）外加反向电压——限流,防止电流太大非线性元件I/mAU/VO死区导通电压: 硅0.6-0.8V 锗0