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第6章 微型计算机中的存储器;6.1存储器概述;(按存储原理分类);6.2 随机存取存储器;基本存储电路简化图;由若干个存储单元可以组成一个芯片;二、SRAM的典型芯片;× 0 1 1;6.2.2 DRAM 一、基本存储电路;DRAM的基本存储电路是单个场效应管及其极间电容 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 每次同时对一行的存储单元进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址;存储容量为64K×1 16个引脚： 8根地址线A7～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS 列地址选通CAS 读写控制WE 2根电源及1根空脚; 说明：;三、DRAM芯片的刷新;6.3 只读存储器ROM;6.3.2可编程只读ROM;6.3.3 可擦除可编程只读ROM;二、典型EPROM芯片;高阻;6.3.4 电可擦除可编程只读ROM;EEPROM 28C64A的功能;6.4.1 存储器与CPU的连接要考虑的问题 1 CPU总线的负载能力 CPU在设计时，一般输出线的直流负载能力为带5个TTL负载或10个CMOS负载，现存储器都为CMOS电路，直流负载很小，主要的负载是电容负载，故在小型系统中，CPU是可以