Q_FR608-2019C100N36S7（IRL540NS）型硅N沟道MOS场效应晶体管详细规范.pdf

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2020-03-13 发布于湖南
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ICS Q/FR 中国振华集团永光电子有限公司企业标准 Q/FR 608—2019 半导体分立器件 C100N36S7 （IRL540NS）型硅N 沟道 MOS 场效应晶体管详细规范（报批稿） 2019 - 4 - 22 发布 2019 - 4 - 22 实施中国振华集团永光电子有限公司发布前言本规范由中国振华集团永光电子有限公司提出。本规范由中国振华集团永光电子有限公司归口。本规范按照GB/T1.1-2009 《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的要求进行编写。本规范由中国振华集团永光电子有限公司起草。本规范主要起草人：罗洪庆薛宏菊张开云。本规范为首次发布。 I C100N36S7(IRL540NS)型硅N 沟道MOS 场效应晶体管详细规范 1 范围本规范规定了C100N36S7(IRL540NS)型硅N 沟道MOS 场效应晶体管的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及使用的要求。 2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T4589.1-2006 半导体器件第10 部分：分立器件和集成电路总规范 GB4590-84 半导体集成电路机械和气候试验方法 GB/T4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8 部分：场效应晶体管 GB/T12560-1999 半导体器件分立器件分规范 GJB128A-1997 半导体器件分立器件试验方法 3 术语本规范中所涉及到的术语定义按照GB/T4586-94 《半导体器件分立器件第8 部分：场效应晶体管》中第 Ⅱ章的规定。 4 要求 4.1 总则 C100N36S7(IRL540NS)型硅N 沟道MOS 场效应晶体管应符合本规范和GB/T4589.1-2006 规定的要求。本规范的要求与GB/T4589.1-2006 不一致时，以本规范为准。 4.2 产品封装形式产品采用国际通用的TO-263封装。 4.3 产品外形图及尺寸产品外形图及尺寸见图1。 1 单位为毫米尺寸 TO-263 符号最小值最大值 A 4.06 4.83 b 1.14 1.40