光电技术第4章发光和光耦器件.pptx

第四章 发光器件与光耦器件 “发光”包括可见、红外、紫外等不可见波段包括热辐射发光和激发辐射发光。 激发辐射的光源常称为“冷光源” 按激发方式分又分为光致发光、化学发光、摩擦发光、阴极射线致发光、电致发光等 电致发光又有结型（注入式）、粉末、薄膜电致发光。本章主要介绍：注入式发光器件LED半导体激光器件光电耦合器件4--1半导体发光二极管（LED）　1907年首次发现半导体二极管在正向偏置下发光。20世纪70年代末：数码显示器及图像显示器。最近十几年：发光二极管（LED）发光效率和发光光谱都有提高。优点：体积小重量轻便于集成电压低耗电小驱动简单，易于计算机控制又单色性好的单色发光二极管，又有白光的发光二极管。亮度高、效率高1、发光二极管的发光机理 LED是一种注入电致发光器件。由P型和N型半导体组合而成。发光机理可分为PN结注入发光与异质结注入发光。（1）PN结注入发光 注入发光的能带结构 PN结处于平衡时，存在一定的势垒区。注入发光的能带结构如图所示。当加正偏压时，PN结区势垒降低，从扩散区注入的大量非平衡载流子不断地复合发光，并主要发生在P区。 这是因为发光二极管在正向电压的作用下，电子与空穴做相对运动，即电子由N区向P区运动，而空穴向N区运动。因为电子的迁移率μN比空穴的迁移率μ p高20倍左右，电子很快从N区迁移到P区；N区的费米能级因简并而处于很高能级的位置;而P区的受主能级很深且形成杂质能带，因而减小了有效带隙的宽度。PN结注入发光的发光器件：红外发光的GaAs发光二极管发红光的GaP掺Zn-O发光二极管发绿光的GaP掺Zn发光二极管发黄光的GaP掺Zn-N发光二极管白光发光二极管其他单色发光二极管等 （2）异质结注入发光 为了提高载流子注入效率，可以采用异质结。图示为理想的异质结能带图。异质结注入发光 由于P区和N区的禁带宽度不相等，当加上正向电压时两区的价带几乎相同，空穴就不断地向N区扩散，这就保证了空穴向发光区的高注入效率。 对N区的电子，势垒仍然较高，不能注入P区。这样，禁带宽的P区成为注入源，禁带窄的N区成为载流子复合发光的发光区。 例如，禁带宽EG2＝1.32eV的P-GaAs与禁带宽EGl＝0.7eV的N-GaSb组成异质结后，N-GaAs的空穴注入N-GaAs区复合发光。由于N区研发射的光子能量hν比EG2要小得多，它 进入P区不会引起本征吸收而直接透射出去。因此，异质结发光二极管中禁带宽度大的区域（注入区）又兼作光的透射窗。2、基本结构（1）面发光二极管波长为 0.8~0.9μm的双异质结GaAs/AlGaAs 面发光型LED的结构。面发光型LED结构（2）边发光二极管边发光型LED的结构 面发光LED面发光区光束的水平垂直发散角都约为120° 边发光LED的方向性要好些，其发散角水平方向为25 ° ~ 35 °,垂直 方向发散角约为120°3、LED的特性参数（1）发光光谱和发光效率 发光光谱由材料的种类、性质及发光中心的结构决定。发光效率由内部量子效率和外部量子效率决定。GaAs 0.6P0.4 与GaP的发射光谱 几种典型发光二极管的发光效率与发光波长（2）时间特性与温度特性LED的时间响应为ns量级。通常发光二极管的外部发光效率随温度上升而下降。GaAsP及GaP（红、绿）LED的相对光亮度与温度的关系曲线（3）发光亮度与电流的关系idn是电子的扩散电流;τ 是载流子辐射复合寿命τr和非辐射复合寿命τnr的函数。发光亮度与电流密度的关系曲线（4）最大工作电流 在低工作电流下，LED发光效率随电路的增大而明显提高，但电流增大到一定值时，发光效率不再提高，相反发光效率会随工作电流的增大而降低。GaP的发光效率ηin与电流密度J、温度T间的关系若发光二极管的最大容许功耗为Pmax，则发光二极管的最大容许工作电流为式中rd为发光二极管的动态电阻；If、Uf均为发光二极管在较小工作电流时的电流和正向压降。（5）伏安特性电压小于开启点电压值时无电流；电压一超过开启点就显示出欧姆导通性;反向击穿电压在－5V以上（有些已超过－200V）。发光二极管的伏安特性曲线（6）寿命一般106小时以上，可达109小时（7）响应时间在快速显示时器件对信息反应速度的物理量。指器件启亮（上升）与熄灭（衰减）时间的延迟。响应时间随电流增大而近似呈指数衰减。一般GaAs1-xPx仅为几个ns，GaP约为100ns。4、驱动电路一种典型的LED驱动电路5、发光二极管的应用（1）数字、文字及图像显示16段数码管7段数码管文字显示器的原理电路5×7点阵器件的显示原理（2）指示、照明 例如：仪器指示灯，刻度尺、已有将红、橙绿三个管芯组装在一起的多色单体发光二极管（3）光源例如：光纤通信、光纤传感系统中的光源4--2 半导体激光