晶体材料基础---第九讲 晶体生长方法(1).pptVIP

导模法生长晶体步骤： 1.原料处理 将原料用浓盐酸浸泡24小时以上，浸泡后放在清水池中冲洗至中性，再放入石英坩埚内烘干。 2.前置作业 在实验开始前必须彻底检查炉体内部是否有异物或杂质，因为在晶体生长过程中，炉体内的杂质或异物会因高温而造成晶体受到污染，而影响晶体的质量，因此在实验开始之前，必须将炉体清理干净，降低杂质析出的可能性。 3.炉体抽真空 关闭生长设备的放气口，打开机械泵抽气并升温加热，再冲入Ar气。抽真空是为了防止钼坩埚和模具被氧化，还有防止钼与其它残留气体反应生成易挥发物，影响晶片的质量。充入Ar的目的：起保护作用，因为在高温低压的条件下，熔体易分解和蒸发。 * 4.引晶（高温引晶） 打开中频电源开始升温。升温要逐级进行。待到料粒熔化以后，对炉子的功率做适当调整，调整后十分钟将籽晶摇下，使籽晶头据模具口的位置有4毫米的位置进行“烤晶”， 对籽晶进行预热，防止热冲击。这段时间要密切注意籽晶头的变化，如果籽晶头有熔化迹象应立即将籽晶摇上，再适当调低温度等待一段分钟后再重复“烤晶”。 “烤晶”一段时间后开始引晶，通过手轮，使用籽晶头接触到熔体表面，如温度太低引晶时籽晶头的变化很小或根本没有变化，此时一定要观察好，如温度太低应提起籽晶先升温再重复引晶（切不可低温引晶，因为引晶时温度低，生长出的整根晶体一定会炸裂，同