LED基础知识 概述.ppt

一、关于电压 LED的电流-电压特性？ 蓝光LED的工作电压为什么偏离禁带宽度？ 什么是VF1和VF2，为什么要测量VF1？ 什么是反向电压(VR)和反向漏电流(IR)，VR与IR的关系？ 什么是ESD？ VF，VR与外延和芯片工艺的关系？ 1.1 LED的电流电压特性 理想二极管方程： I= VD e 如果正向电压VkT/e则 I≈ IseeV/kT，将VD代入改写方程得到： I=C.ee(V-VD)/kT 1.1 LED的电流-电压特性 LED的I-V特性曲线。 由上述方程可知，当正向电压接近VD时，电流将迅速增大，此后电流再增大，电压几乎不变。当掺杂浓度很高时： Vth ≈ VD≈Eg/e Eg 为半导体材料的禁带宽度。 1.1 LED的电流-电压特性 通常所说的LED工作电压指，给LED通上20mA电流所需要的电压。 实际工作的LED的压降主要来源于：p-n结、N电极接触电阻、N型半导体层体电阻，P电极接触电阻、P型半导体层体电阻。 V = Eg/e + IRs 传统LED的接触电阻和体电阻很小，工作电压主要取决于p-n结的性质。 1.2 蓝光LED的电压为什么偏离Eg 蓝光LED使用的InGaAlN材料具有很大的能带失调值，形成许多异质结界面，具有较大的势垒。 InGaAlN材料体系的欧姆接触技术还不成熟，导致接触电阻较大，尤其是P型欧姆接触质量较差。 InGaAlN材料的P型掺杂困难，导致P型层电导率低，体电阻较大。 InGaAlN材料的广泛使用过渡层技术，这些过渡层有时会带来一些电阻。 1.3 什么是VF1和VF2，为什么要测量VF1 VF1一般指正向通1微安或10微安电流时的电压值。 VF2一般指正向通20mA电流时的电压值，也即泛指的 LED工作电压。 同样可以定义500mA下的电压值为VF3，并类推。。。 VF1也称启动电压。由于VF1一般略低于Vth，此时流 过p-n结的电流很小，电压的大小可以反应并联电阻的 大小(漏电)。并联电阻的来源包括结区的缺陷，如位 错、微孔等，芯片侧面p-n结附近的导电物质污染，以 及钝化层绝缘性差等。一般希望并联电阻越大越好 （VF1高），但有时可以利用并联电阻保护LED (ESD)。 1.4什么是VR和IR VR指一定反向电流下的电压值，其最大值为反向击穿电压(VB)，一般在反向10微安或1微安下测量。 IR指一定的反向电压下，反向电流的大小，当VRVB时，IR很小，几乎为0且不随VR而变化；当VR接近VB时，IR迅速增大甚至击穿。蓝光LED一般在5V下测IR。 p-n结反向击穿有二种模式:雪崩击穿和隧道击穿。 VB的大小取决于禁带宽度、掺杂浓度和温度。 1.5 什么是ESD ESD: Electro Static Discharge 静电放电 静电是由于物体接触分离后出现电荷不平衡而产生的，它存在于物体表面，是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象，只要有接触分离就有可能产生静电。 摩擦生电是产生静电的最普通方法。材料的绝缘性能越好，越容易通过摩擦产生静电。人体行走、活动时，衣服的摩擦、人体与其他物品接触分离等均可产生静电。 静电放电可以在瞬间产生强大的电流，导致器件烧毁。 1.5 什么是ESD 静电放电的波形 Per MIL-STD-883E Class 1 0 volt to 1,999 volts Class 2 2,000 volts to 3,999 volts Class 3 4,000 volts and above Per JESD22-A114-B(HBM) Class 0 0 volt to 250 volts Class 1A 250 volts to 500 volts Class 1B 500 volts to 1000 volts Class 1C 1000 volts to 2000 volts Class 2 2000 volts to 4000 volts Class 3A 4000 volts to 8000 volts Class 3B 8000 volts Per JESD22-A115-A(MM) Class A 0 volt to 200 volts Class B 200 volts to 400 volts Class C 400 volts and above 1.5 什么是ESD 静电测试是有损测试。 抗静电能力是不可筛选项目。 相对于传统LED而言，GaN基LED抗静电能力较差， 但最近几年已有显著进步。 要提高GaN LED的抗静电能力，主要靠提高外延材料 的质量，同时也要提高钝化层的质量。 在GaN LED应用中可以通过并联Zener保护二极管来 避