WM_NP6601mr_E南麟原厂规格书.pdf免费

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2020-03-20 发布于广东
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NP6601MR 30V N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP6601MR uses advanced trench technology D1 D2 to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. G1 G2 General Features  N-channel： S1 S2 VDS =30V,ID =4A n-channel p-channel RDS(ON)=33mΩ (typical) @ VGS 4.5V RDS(ON)=46mΩ (typical) @ VGS 2.5V P-Channel： Marking and pin assignment 55 VDS =-30V,ID =-2.3A 00 SOT-23-6L 33 (TOP VIEW) RDS(ON)=85mΩ (typical) @ VGS -4.5V 33 D1 S1 D2 RDS(ON)=105mΩ (typical) @ VGS -2.5V 11  Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) 55 6 5 4  Very low on-resistance RDS(ON) 33  150 °C operating temperature 22 NP6601  Pb-free lead plating 88  100% UIS tested 33 11 1 2 3 :: Application LL G1 S2 G2  DC/DC Converter EE Package  Ideal for high-frequency switching and TT synchronous rectific