各种溅射法的比较.docxVIP

22 2 2， 主要的溅射方法：直流溅射，射频溅射，磁控溅射，反应溅射。 一 直流溅射 又称阴极溅射或二极溅射 溅射条件：工作气压 10pa，溅射电压 3000V，靶电流密度 0.5mA/cm ,薄膜 沉积速率低于 0.1?m/min。 工作原理：先让惰性气体（通常为 Ar 气）产生辉光放电现象产生带电的 离子；带电离子紧电场加速撞击靶材表面，使靶材原子被轰击而飞出来， 同时产生二次电子，再次撞击气体原子从而形成更多的带电离子；靶材原 子携带着足够的动能到达被镀物（衬底）的表面进行沉积。 随着气压的变化，溅射法薄膜沉积速率将出现一个极大值，但气压很低的 条件下，电子的自由程较长，电子在阴极上消失的几率较大，通过碰撞过 程引起气体分子电离的几率较低，离子在阳极上溅射的同时发射出二次电 子的几率又由于气压较低而相对较小，这些均导致低气压条件下溅射的速 率很低。在压力 1Pa 时甚至不易维持自持放电！随着气压的升高，电子的 平均自由程减小，原子的电离几率增加，溅射电流增加，溅射速率增加。 改进：三极溅射 工作条件：工作气压 0.5pa，溅射电压 1500V，靶电流密度 2.0 mA/cm ， 薄膜沉积速率 0.3?m/min。 三级溅射的缺点：难于获得大面积的且分布均匀的等离子体，且其提高薄 膜沉积速率的能力有限， 二 射频溅射 定义：射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材、