第一章 半导体材料概述.ppt

* （5）IV－IV族化合物半导体SiC Si 3C-SiC 6H-SiC 禁带宽度（eV） 1.12 2.39 3.02 临界击穿电场(?106 V?cm-1) 0.25 2.12 2.5 电子饱和速度(?106 cm?s-1) 9.9 20 20 热导率 (W?cm-1?℃-1) 1.5 3.2 4.9 Eg和热导率都差不多是硅的2－3倍， －―制造蓝色发光二极管、抗辐照晶体管和可在500℃以上高温状态下稳定工作的器件等。 临界雪崩击穿电场强度比硅高1个数量级 －―制作大功率 电子饱和速度是硅的2倍。 ――高频率 模拟表明，一个5000V碳化硅MOSFET和一个4500V硅可关断晶闸管（GTO）相比，在通态压降相等时，这种单极性器件的电流密度，比GTO双极性器件高出一个数量级。 * SiC是目前所知最硬的物质之一（9.3），略低于金刚石（10）和碳化硼（9.36）；耐高温，化学性能稳定，常温常压下不受任何气液腐蚀。 碳化硅制备难。因为其熔点高， 2300℃左右会升华，因而无法熔体冷凝生长。控制单一结晶困难。最近十来年才有较大进展。 * （6） V-VI族化合物半导体材料 VA族－As、Sb、Bi VIA族－O、S、Se、Te V2VI3 电负性差最小的Sb2Te3和Bi2Te3属三角晶系，例外Bi2Se3 电负性差最大的Sb2S3和Bi2S3属斜方晶系，例外Sb2Se3 主要特点：热电耦合特性好，主要应用于半导体制冷和温差发电。 * S Zn S Cu Fe （7）其它化合物半导体（多元化合物） 黄铜矿（CuFeS2) I-III-VI2 II-IV-V2 AgGaS2 CuInS2 AgGaSe2 CuInSe2 CdGeAs2 ZnSnAs2 CdGeP2 ZnSnP2 图2-12 两个闪锌矿晶胞(a)与一个黄铜矿晶胞(b) * 例如，Cu2FeSnS4 可认为是Fe原子和Sn原子取代了两个CuAlS2分子中的Al原子的结果，Cu2CdSnTe4可认为是Cd原子和Sn原子取代了两个CuAlTe2分子中的Al原子的结果。 两个I-III-VI2 II族 IV族 四元系化合物I2-II-IV-VI4 黄锡矿 1、多元化合物具有非常大的非线性光学常数，用其作非线性介质材料，在中、远红外波段的频率转换方面应用。 2、宽禁带直接跃迁型在发光二极管和激光器方面应用;太阳电池(CIGS,高效、低成本)。 3、这一类材料的弱点是载流子迁移率都不够高。 * （8）半导体固溶体 用两种或两种以上的元素半导体或化合物半导体相互溶合而形成的一类具有半导体性质的固态“溶液”材料（混晶或合金半导体）。 硅锗固溶体、各种III-V族化合物固溶体和II-VI族化合物固溶体等。 固溶体不同于化合物。化合物有严格的化学配比，有一定的物理化学性质。 固溶体的组成比例至少在一定范围内连续可调，因而其各种性能（尤其是能带结构）也会相应地连续改变。 * 1.2.3 有机半导体 * 分子晶体、有机络合物、高分子聚合物： 富勒烯、萘、蒽和丁省等芳香族、聚苯乙炔 性质： 1、电导率随温度变化的规律与无机半导体材料一样； 2、掺杂可以改变半导体材料电导激活能?E的大小，可导致同一温度下电导率发生明显变化 。 3、电子和空穴的迁移率均在1cm2/(V?s)左右。带隙变化范围大。 * 导电机理 在碳原子的共价结合中含有?键，即成键电子的轨道以“肩并肩”的方式重叠。这种形式的共价电子称作?电子。没有被定域化的?电子可以沿分子链作准自由化运动，亦即?电子的非定域化反键态构成导带 * Beginning of organic semiconductor (π bonding) Side-by-Side Bonding * Conjugated (共轭): alternatively double-single bonds CH CH CH CH CH CH 雙鍵 單鍵 * Conjugated polymer Sigma bond Delocalized ? electron cloud Alternating single-double bonds * Delocalization of Charge Carriers in Polyacetylene（聚乙炔） Localized! Charge cannot go anywhere!!! Delocalized! Charge carriers can move around!!! * Delocalization and Transport of Charge Carriers * 有机半导体的优点 加工工艺简单、成本低廉； 有机薄膜器件具有面积大、扭曲弯折而不改变性能的特点 * 有机半导体的