数字集成电路的设计.pptVIP

传输延迟;5.4.1. 计算电容值; 栅漏电容Cgd12 在输出过渡的前半部，M1和M2不是断开就是处在饱和模式，Cgd12只包括M1和M2的覆盖电容，沟道电容不起作用(处于栅-体或栅-源之间)。 集总电容模型要求用接地电容来代替浮空的栅漏电容，通过密勒效应实现：一个在其两端经历大小相同但相位相反的电压摆幅的电容可以用一个两倍于该电容值的接地电容代替。 P141- Fig 5.14 Cgd=2Cgd0W ; 扩散电容Cdb1和Cdb2 漏和体之间的电容来自反向偏置的pn结。这样的电容是高度非线性的，并且在很大程度上取决于所加的电压。 可用一个线性电容来代替非线性电容，使这个线性电容在所关注的电压范围内的电荷变化与非线性电容相同。 Ceq = KeqCj0 （零偏结电容） 结电容用一个线性电容来代替，电压和电流波形会有微小误差，但该简化对逻辑延时没有明显的影响。例5.3 P20-Pic1.19 连线电容 由连线引起的电容取决于连线的长度和宽度，并且与扇出离开驱动门的距离和扇出门的数目有关。; 扇出的栅电容Cg3和Cg4 Cfan-out=Cgate(NMOS)+Cgat