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材 料 物 理 性 能; 本章主要讲授材料电导的概念、种类与机制。
本章的重点是电子电导与离子电导类型、特点与导电机理。难点是能带理论及电子电导的载流子迁移率和浓度与能带理论的关系。;第二章 材料的导电性
; 一.电导的宏观参数
1.电导率和电阻率
一个长L,横截面S的均匀导电体,两端加电压V(图5.1)根据欧姆定律; 陶瓷中的载流子——电子(负电子,空穴)、离子(正、负离子,空位)。
载流子为离子的电导称为离子电导,载流子为电子的电导称为电子电导。
有些陶瓷材料能够类似于金属材料,依靠核外未满的次外层上的电子参与导电。表现出半导体特性的陶瓷材料,主要依靠价带空穴和导带电子导电;
陶瓷材料中特有的导电现象是离子导电,其中电流是通过各种正、负离子响应电场作用产生净定向扩散而传导。离子键结合的陶瓷材料显示这种特性,其中,电子导电还必须非常弱。;离子电导:载流子为离子的电导称为离子电导;
电子电导:载流子为电子的电导称为电子电导。;8;3、区别电子电导和离子电导的方法:
(1) 霍尔效应
若在X方向通以电流,在z方向上加以磁场,则在Y方向电极两侧开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场称霍尔效应
;; 要得到大的霍尔电压关键是选择霍尔系数大(即迁移率高、电阻率低)。
半导体迁移率高电阻率适中是制造霍尔元件较理想的材料。
由于电子迁移率比空穴迁移率大,所以霍尔元件多采用N型材料。
其次,霍尔电压大小与材料的厚度成反比,因此,薄型的霍尔器件输出电压较片状要高得的多。;(2)电解效应
电解现象:离子的迁移伴随着一定的质量变化,离子在电极附近发生电子得失,产生新的物质,这就是电解现象。;13;14;从材料电导率的表达式可以看出,影响材料电导率的主要因素是材料中载流子的体积密度与迁移率。
对于半导体:
载流子——导带的电子(体积密度n,迁移率μe )、价带的空穴(体积密度p,迁移率 μh ) 。则半导体的电导率表达式为
对于金属:
载流子——只有自由电子(体积密度n,迁移率μe ) 。则金属的电导率表达式为
;自由电子在电场E作用下获得的漂移速度为:
v= -eτE/me
自由电子的迁移率为:
μe= -eτ/me
金属率表达式:
式中,τ为自由电子的平均自由运动时间;ne为自由电子体积密度;m为电子的质量。
经典自由电子理论存在着严重缺陷。原因:认为所有的自由电子都参与导电。根源:经典自由电子理论没有认识到金属中自由电子的能量、波矢或速度状态的量子化特征。;2.1.3材料导电性理论;1.经典电子理论;; 2. 量子自由电子理论; 思考: 前两种理论都忽略了金属离子的作用,同时还假设在金属内部存在均匀的势能。事实上电子是在由金属离子组成的非均匀势场中运动的。因而得出的导电机理有很大的局限性,能带理论就解决了这个问题。; 3. 固体能带理论;依据能带理论,固体材料中电子状态的显著特点在于其能带结构特征。
在所有的固体材料中,电子的波矢空间(或速度空间)分割成不同的布里渊区。一个布里渊区内电子的能量随着速度准连续变化,具有能量间隔很小的能级。
在相邻布里渊区的边界上,电子的能量随着速度不是连续变化的,而是发生突变。
在一般固体材料中,布里渊区边界两侧的电子能量差在几个至十几个电子伏特(ev),比一个布里渊区内相邻能级之间的能量差要高出多个数量级。
另外,在半导体和绝缘体材料中,在相邻能带之间出现能带间隙。 ;满带:全带中每一能级都被都被两个电子占据的能带。
在能带图中满带是在最下方,该处电子能量低,不足以参加物理过程(除非受激发),因此满带没有导电性。
空带:所属各能级上没电子的能带。因此也无导电性。
价带:与原子中价电子的能量相对应的能带。
在半导体或电绝缘体中,价带是满带中能量最高的能带。由于热激发、光辐射或掺入杂质等原因,价带可能失去少量电子,留下空穴,从而产生空穴导电性。
导带:最靠近价带而能量较高的能带。
这是除去完全被电子充满的一系列能带外,还有部分被填表满的能带。此带中,电子能自由活动。由于热激发、光辐射或掺入杂质等原因,导带出现少量电子,从而产生电子导电性。
禁带:又称能隙。
不允许自由电子和空穴存在的各能带之间的能量间距,较常指价带之上,导带之下的一段能量区间。为了产生电导,必需将电子激发,越过禁带,进入; 导体、半导体、绝缘体的能带中电子分布的情况各具有明显的特征,导
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