集成电路晶圆制造能源消耗限额-上海地方标准.docVIP

DB 31/506—XXXX PAGE 4 ICS27.010 F 01 FORMTEXT DB FORMTEXT 31 FORMTEXT 上海市地方标准 DB FORMTEXT 31/ FORMTEXT 506—XXXX 代替DB31/506-2010 FORMTEXT 集成电路晶圆制造能耗限额 The norm of energy consumption per unit products of送审稿 integrated circuit wafer 送审稿 XXXX- XX - XX发布 XXXX- XX -XX实施 FORMTEXT 上海市市场监督管理局 发布 DB 31/506—XXXX PAGE 1 前言 本标准第5章中集成电路晶圆制造能耗限额指标对现有企业是强制性的；集成电路晶圆制造能耗先进指标对现有企业是推荐性的，其余内容为推荐性的。 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替DB31/506-2010《集成电路晶圆制造能耗限额》。本标准与DB31/506-2010相比，除编辑性修改外主要技术变化如下： ——修改了计算方法（见第4章，2010年版的第4章）； ——修改了集成电路晶圆制造能耗限额（见第5章，2010年版的第5章、第6章）； ——增加资料性附录A(见附录A)。 本标准由上海市发展和改革委员会、上海市经济和信息化委员会共同提出，由上海市经济和信息化委员会组织实施。 本标准由上海市能源标准化技术委员会归口。 本标准起草单位：上海市集成电路行业协会、上海市能效中心、上海华虹宏力半导体制造有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、上海华力微电子有限公司、台积电（中国）有限公司、上海先进半导体制造有限公司、上海新进半导体制造有限公司、上海新进芯半导体制造有限公司。 本标准主要起草人：陶金龙、闵钢、石建宾、杨晓春、张大炜、 姚弘珏、翟静、沈国庆、陈继红。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——DB31/506-2010 集成电路晶圆制造能耗限额 范围 本标准规定了上海市集成电路晶圆制造能耗限额标准。 本标准适用于上海市集成电路晶圆制造企业。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB 17167《用能单位能源计量器具配备和管理通则》 GB/T 2589《综合能耗计算通则》 GB/T 23331《能源管理体系要求》 名词术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 集成电路晶圆产品生产系统 Integrated Circuit (IC) Wafer Production System 将硅圆片通过必要的工艺加工过程，制成集成电路晶圆产品的生产系统。 集成电路的工艺加工过程主要是，以硅圆片为衬底通过“集成电路晶圆产品生产系统”进行掺杂（包括：扩散和离子注入）─→沉积（包括：物理气相淀积、化学气相淀积 、外延生长）─→光刻（包括：衬底准备、涂胶、软烘干、对准和曝光、曝光后显影、烘焙）─→蚀刻（包括：化学刻蚀、等离子体刻蚀）─→去胶─→化学机械平坦化等，经过多次类似的工艺加工过程，形成晶体管等元器件图形结构，并通过金属化连接以构成某种预期的电气功能，通过测试最终成为集成电路晶圆成品。 集成电路晶圆产品辅助生产系统 Integrated Circuit (IC) Wafer Auxiliary Production System 为生产系统提供生产保障环境（如恒温、恒湿、恒压、净化空气等）的系统。包括动力、供电、机修、循环供水、供气、采暖、制冷、仪表和厂内原料场地以及安全、环保等装置。 集成电路晶圆产品附属生产系统 Integrated Circuit (IC) Wafer Subsidiary Production System 为生产系统专门配置的生产指挥系统（厂部）和厂区内为生产和技术服务的部门和单位。包括各类办公室、操作室、休息室、更衣室、各种生活设施、以及管理及维护等场所。 集成电路晶圆产品生产界区 Integrated Circuit (IC) Wafer Area 从硅圆片等原材料和各种能源经计量进入工序开始，到集成电路晶圆产品制成为止的生产空间。 在生产界区内，生产系统、辅助生产系统、附属生产系统、工艺准备过程、工艺试验过程等都将对集成电路晶圆制造产生能源消耗。 集成电路晶圆产品综合能耗 Overall Energy Consumption for Integrated Circuit (IC) Wafer Production 集成电路晶圆产品生产全过程中的能源消耗总量。指生产系统、辅助生产系统、附属生产系统、工