屏蔽效能的计算.pptxVIP

抗干扰技术之 屏蔽、滤波与保护EMC系统高次谐波连续的周期型干扰（窄带干扰）载波通讯无线电通讯干扰高频保护周期性脉冲干扰电力电子器件动作产生的高频涌流（可控硅整流、静止无功补偿器等）现场电磁干扰脉冲型干扰（宽带干扰） 高压线路上的电晕放电随机性脉冲干扰 其它电气设备的内部放电 分接开关动作产生的放电 电机启动产生的电弧放电 接触不良或悬浮电极放电 各种冲击波产生的高频电流脉冲白噪（宽带干扰） 设备热噪声 地网中的噪声设备动力电源线、继电保护线路以及各种信号线路耦合进入的随机噪声图1现场电磁干扰分类表音频噪声传导射频干扰20 kHz16Hz1250Hz50MHz300MHz1GHz50Hz2kHz150kHz音频与射频间的干扰分谐波谐波辐射干扰电磁干扰源电磁干扰的抑制方法 接地 最基本的干扰抑制方式屏蔽 抑制辐射干扰电磁干扰的主要抑制方法滤波 抑制传导干扰保护 抑制能量型干扰§ 6.1 屏蔽 屏蔽技术用来抑制电磁干扰沿空间的传播。 其实质是将关键电路用屏蔽体包围起来，是耦合到这个电路的电磁场通过反射和吸收被衰减。现场主要 辐射源 无线电干扰 射频干扰 移动通讯干扰 （900MHz\1.8GHz） 雷达干扰 交流干扰§ 6.1.1 近场与远场小环天线与短单极天线的波阻抗 Z 与距离r 的关系 电磁干扰沿空间的传播是以电磁波的方式进行的，可分为近场和远场。 近场与远场的判别条件为 d = ? / 2? （6-1） d为临界距离， ?为辐射信号的波长。例1 如果屏蔽体局干扰源的距离d =1 m，根据判别条件 d = ? / 2? = 1 m 可求出相应的临界频率 f0 = c / ? = 47.7MHz 那么此时对于频率f f0的辐射可认为是远场平面波；而当频率 f f0时，则可看作是近场。 对于常见两种天线：小环天线和短单极天线，两者远场的电磁场分布特性是基本一致的。 但其近场分布有较大的不同：小环天线，表现为低电压、大电流，其辐射场主要为磁场短单极天线，表现为高电压、小电流，其辐射场主要为电场§ 6.1.2 屏蔽原理（6-2） 上式中，E0H0为未屏蔽时测得的场强， E1H1为屏蔽后测得的场强。金属板的综合屏蔽效能可表示为： SE = A + R + B (dB)A — 吸收损耗；R — 反射损耗； B — 多重反射修正因子。（6-3）1. 吸收系数 A（6-4）t — 金属板厚度(mm)； f—辐射频率； ?r—金属板相对导磁率；?r—金属板相对导电率。2. 反射系数 R ：电场屏蔽近场（6-5）磁场屏蔽远场（6-6） 可见，反射损耗主要取决于屏蔽体表面的导电率。例如金属屏蔽体通常不宜取铝材，因为没有经过表面处理的铝金属表面极易氧化，使表面导电率下降，反射损耗降低。 另外，不同的金属表面处理也会对反射损耗产生不同的影响。高导电性钝化处理不影响反射损耗；阳极氧化处理，将增大金属表面的电阻率，使反射损耗大幅度降低；绝缘涂层不会影响反射系数；含导电性颗粒的漆，对反射系数影响较大；3. 多重反射修正因子 B式中，Z为空气波阻抗；Zs为金属波阻抗（?）近场电场近场磁场Z =远场377(? ) B为负值，将削弱屏蔽效能，当A 10 dB时，该修正因子可以忽略。 常用金属屏蔽材料的?r 和 ?r（铜?r=1， ?r=1）屏蔽材料?r?r银1.06411.031.03铝0.6110.700.78黄铜0.3510.590.59不锈钢0.022002.000.01热轧硅钢0590.0051冷轧钢0.171805.530.031例2 设环状辐射源频率f =15 kHz, 在与辐射源相距50cm处有厚度t=0.5mm厚的铝制屏蔽机箱，其屏蔽效能可作如下估计，由于 d 2?/?，属近场干扰，且干扰场强以磁场为主。所以，需考虑多重反射的影响。 Z=0.06 ?，Zs=5.8?10-5 ?B = -2.3 dB故该屏蔽机箱的总屏蔽效能为 SE =A + RH+ B = 52.2 dB可见，在这种情况下，屏蔽是以吸收损耗为主的。§ 6.1.3 屏蔽的基本原则近场电场辐射屏蔽的必要条件是采用高导电率金属屏蔽体和接地。近场低频磁场屏蔽可采用高导磁率材料进行屏蔽或磁旁路。增加屏蔽体厚度或采用多层屏蔽，可提高屏蔽性能。屏蔽体不需接地。近场高频磁场，应采用高导电率金属，因频率较高时，磁损将增加，高磁导率材料的屏蔽效果并不理想。远场电磁屏蔽应采用高导电率金属并良好接地。实践表明，低频磁场是在线监测中最难屏蔽的，主要因为， 低频 —— 吸收损耗 A 小 磁场 —— 反射损耗 R 小 屏蔽低频磁场主要采用高导磁率材料，以提高吸收损耗。但应注意以下问题。 1. 材料手册上通常给出的是直流下的磁导率。但一般直流时磁导率越高，随频率的升高，下降的