光电技术第11讲 .pptVIP

光电技术（第9讲）发光器件及光电耦合器件 一、概述 通常人们把物体向外发射出可见光现象称为发光。但对光电技术领域来说，光辐射还包括红外、紫外等不可见波段辐射。 本章主要介绍目前已得到广泛应用注入式半导体发光器件及光电耦合器件。 发光效率由内部量子效率与外部量子效率决定。内部量子效率在平衡时，电子-空穴对激发率等于非平衡载流子复合率（包括辐射复合与无辐射复合），而复合率又分别决定于载流子寿命τr与τrn，其中辐射复合率与1/τr成正比，无辐射复合率为1/τrn，内部量子效率为 式中，neo为每秒发射出光子数,ni为每秒注入到器件电子数 辐射复合发光光子并不是全部都能离开晶体向外发射。光子通过半导体有一部分被吸收，有一部分到达界面后因高折射率（折射系统折射系数约为3～4）产生全反射而返回晶体内部后被吸收，只有一部分发射出去。因此，将单位时间发射到外部光子数nex除以单位时间内注入到器件电子-空穴对数nin定义为外部量子效率ηex，即 对 GaAs这类直接带隙半导体，ηin可接近100％。但ηex很小，如GaP红光发射效率ηex很小，最高为15％；发绿光GaP[N]ηex约为0.7％；对发红光 GaAs0.6P0.4，其ηex约为0.4％；对发红外光In0.32Ga0.68Pηev约为 0.1％。 2. 时间响应特性与温度特性 提高