模拟电子技术基础与技能第2章 -晶体管及其应用.pptVIP

* 2) 集电极、发射极的判别 在正确判别晶体管基极的基础上，利用万用表判别晶体管集电极、发射极的常用方法有下述三种： 方法一： 对于PNP型晶体管，在测定基极的基础上，红表笔接待测管基极，黑表笔分别接触另两个管脚，所测得的阻值为一大一小，在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为晶体管集电极；另一电极则为发射极。 对于NPN型晶体管，则将黑表笔接待测管基极，而用红表笔去接触另两个管脚，在阻值小的一次测量中，红表笔所接管脚为集电极，另一管脚为发射极。 方法二： 将万用表两表笔分别接除基极以外的两管脚，如果是NPN型管，用手指捏住基极与黑表笔所接电极，测得两组阻值，在阻值小的一次测量中，黑表笔所接为集电极，另一电极为发射极。 如果是PNP型管，则用手指捏住基极与红表笔所接电极，同样，电阻小的一次测量中红表笔对应的是集电极，另一电极则为发射极。 方法三： 利用万用表的hFE挡测量。具体方法是：在测出待测管基极及判别管型（NPN或PNP）的基础上，将晶体管基极引出线插入hFE基极插孔，另两电极引出线分别插入另两个插孔，可得两组hFE值。其中数值较大的一次为正确接法，即插入集电极插孔的管脚为待测管的集电极，插入发射极插孔的管脚则为发射极。 * （2）晶体管性能好坏判别 晶体管性能好坏判别主要通过测量其主要参数PN结正、反向电阻、β值和穿透电流ICEO判别，具体测量方法如下所示。 1）晶体管极间电阻测量 通过测量集电结和发射结正、反向电阻，可以判别晶体管的内部是否短路、断路。方法是：将万用表置于100Ω或1K挡，分别测量两个PN结正、反向电阻。 对于中、小功率贴片晶体管，其正向电阻一般为几百欧姆至几千欧姆，反向电阻一般为几百千欧以上。如果测得的正向电阻近似于∞，则表明晶体管内部断路；如果测得的反向电阻很小或为零时，则说明晶体管已被击穿或短路。都不能再使用。 2）晶体管穿透电流ICEO的测量 通常采用万用表欧姆挡测量晶体管C-E极之间电阻值的方法来间接估计ICEO的大小，具体方法是：将万用表置于100Ω或1K挡，对于NPN型晶体管，万用表黑表笔接集电极C，红表笔接发射极E。测得的阻值要求越大越好（通常大于几百千欧姆）。C-E间电阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明管子的ICEO越大。 对于PNP型晶体管，测量方法与NPN型管子相同，只要对调万用表表笔即可。如果测试时万用表指针来回摆动，则表明管子性能不稳定。 利用万用表间接测量NPN型晶体管穿透电流ICEO的方法如图2-11所示。 * 图2-11晶体管穿透电流ICEO的测量 3）β值的估测 将万用表置于100Ω或1K挡，对于NPN型晶体管，将黑表笔接其集电极C，红表笔接发射极E，测量C-E间电阻值，并做记录。然后用手指捏住管子基极和集电极，再测量电阻值。接入人体电阻后的阻值应比不接时要小，即万用表指针的右偏转角度大，右偏转角度越大说明晶体管的放大能力越好，如果接入人体电阻后万用表指针依然停留在原位置不动，则表明晶体管的放大能力很差，不能再使用。 对于PNP型晶体管，其测量方法与NPN型晶体管相同，只要把万用表红表笔接晶体管集电极，黑表笔接发射极即可。 此外，在有些万用表中，设有专用β值测量挡。此时只需将待测晶体管管脚引出线按β值测量挡管脚标志插入即可。值得注意的是，NPN型晶体管和PNP型晶体管不能插错。 * （4）在路电压检测判别法? 中、小功率晶体管多直接焊接在印刷电路板上。由于元器件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测晶体管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。? 2．大功率晶体管检测技巧 大功率晶体管是指集电极耗散功率大于1.5W的晶体管。具有工作电流大、体积大、耐压高、故障率高等特点，是电子产品中的关键部件。实际检测时，利用万用表