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自旋电子材料
(磁性+电性); Magnetism is originated from the motion of electrons around the nucleus (planetary like motion) ;巨磁阻和巨磁阻材料;磁阻-Magnetoresistance (MR) ;磁阻-Magnetoresistance (MR) ;巨磁阻-Giant Magnetoresistance (GMR) ; 这种结构由被非磁隔离层(NM-layers)分开的薄铁磁层(FM-layers)组成
非磁隔离层的存在使得相邻铁磁层存在交换耦合作用，即它们磁化方向处于反平行状态（AF）
这种耦合作用可以用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)模型解释
外磁场H克服层间耦合可使所有磁层的磁化方向从反铁磁模式(AF-mode) 同时转换为平向方向，即铁磁模式(F-mode)。; 1988年发现三层结构推广到多层时，在室温下其磁阻超过10 %；
为了强调磁阻显著的变化，特意在这种“磁阻”（“MR”）之前加上“巨”（“giant”），而称为“巨磁阻”（“GMR”）。; 两个研究团队分別在4.2K温度和室温下，对各自研制的磁性多层薄膜系统磁电阻予以测量，
Fert教授在4.2K 的低温，在(Fe/Cr)n，n = 60系统中测量得到50% 磁阻变化，
Grunberg教授則在室温下，测量Fe/Cr/Fe三明治结构，测得大約1.5% 的磁阻变化，随后又在低溫下Fe/Cr/Fe/Cr/Fe 系统中测得约10% 的磁阻变化率。;后来的研究中，巨磁阻越来越显著。;
法国科学家费尔和德国科学家格林贝格尔因发现巨磁阻效应而荣获2007年诺贝尔物理学奖
瑞典皇家科学院发布的颁奖声明称，他们1988年各自独立发现了一种全新的物理效应——巨磁电阻
即一个微弱的磁场变化可以在特定系统中产生很大的电阻变化
巨磁阻将物质磁性与电荷输运结合在一起
从而诞生了磁电子学和自旋电子学;Electron spin-dependent transport;
Two-channel conduction theory (Fert and Campell,
J. Phys. F6, 849(1976);
Conduction electron: Spin-up and spin-down.;自旋电子学-Spin Electronics;自旋阀 (Spin Valves)
Exchange-biased
spin-valves were developed by
Dieny et al., Phys. Rev. B43, R1297(1991).;Spin configuration of an FM-AFM bilayes;磁性隧道结-Magnetic Tunneling Junction ;磁性隧道结-Magnetic Tunneling Junction ;磁性隧道结-Magnetic Tunneling Junction ;磁性半导体(稀磁半导体);Mechanism of Ferromagnetism in DMS;GaMnAs材料特点;GaMnAs材料发展;自旋电子现象研究进程;The End!
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