晶体三极管bjt及放大电路基础解读.pptxVIP

第三章 晶体三极管(BJT)及放大电路基础§3.1　半导体BJT一BJT结构与电路符号二 晶体管电流的分配与放大作用演示实验结论：１、晶体管起放大作用的条件： 发射结正偏，集电结反偏，称为BJT的放大偏置。即满足下列电压关系： NPN管：VCB﹥0，VBE﹥0或VC＞VB ＞VE PNP管： VCB﹤0，VBE﹤0或 VC＜VB＜VE２、放大偏置时的电流分配与放大关系：(1) IE=IC+IB(2) IC和IE 》IE 基极电流的少量变化△IB可引起集电极电流△IC的较大变化(3) 当IB=0时，IC=ICEO解释：BJT内部载流子的传输过程⑴　发射区向基区注入电子⑵　电子在基区中的扩散与复合⑶　集电区收集扩散过来的电子三 BJT静态特性曲线BJT静态特性曲线：是在伏安平面上作出的反映晶体管各极直流电流电压关系的曲线。BJT静态特性曲线用途： １、晶体三极管的组态将晶体三极管视为双端口器件，分析其三种典型接法，称为组态。共基极接法（CB） 共射接法（CE） 共接接法（CC） ２、共射输入特性曲线共射输入特性曲线是以输出电压VCE为参变量，输入口基极电流iB随发射结电压vBE变化的曲线：共射输入特性曲线的特点：３、共射输出特性曲线共射输出特性曲线是在集电极电流IB一定的情况下，的输出回路中集电极与发射极之间的电压VCE与集电极电流IC之间的关系曲线。工作区域划分：(1)　放大区(线性区)条件：发射结正偏，集电结反偏　对NPN管：VCVBVE特性：IC=?IB(2)　截止区条件：发射结反偏　对NPN管：VBVE特性：IC=ICEO(3)　饱和区条件：发射结、集电结皆正偏 对NPN管：VCEVBE特性：IB增加，IC却不再增加，即 IC≠?IB ;而且VCE很小。四、BJT的主要参数1 电流放大系数 共发射极直流电流、交流电流放大系数 例：书图3.1.7(b)为3DG6晶体三极管输出特性曲线，求它的共发射极直流电流、交流电流放大系数 2 极间反向电流　(1) ICBO (2) ICEO3　极限参数§3.2 共发射极放大电路 一、共发射极基本放大电路 教材图3.2.1 T：NPN型晶体管,放大的核心部件VCC： 集电极回路直流电源提供集电结反偏RC： 集电极负载电阻,作用:将iC 转换成U0，反应在输出端VBB,Rb:提供发射结正偏和合适的基极偏流C1,C2： 隔直流通交流 二. 组成原则 (1) 发射结正偏 集电极反偏 使T管处于放大状态(2) 输入回路：Ui——产生ib 控制ic(3) 输出回路：使iC尽可能多流到RL上（减少其他支路的分流）(4) 保证放大电路工作正常，T 处于放大状态，合理设置静态工作点Q 三. 放大电路的性能指标１、 放大倍数：输入信号若为正弦波 a. 电压放大倍数：AV=U0/UI UO——输出电压（有效值）UI——输入电压（有效值） 电压增益： AV(db)=20lgAV分贝 DB b．电流放大倍数 AI=IO/II 电流增益： AI (db)=20lgAI (分贝) c．功率放大倍数：功率增益20lgAp 分贝 Ap=Po/PI2. 最大输出幅度：U0MAX,U0,U0PP（以正弦为例子）3.输入电阻: Ri4.输出电阻：Ro5. 通频带BW（Bf）四、放大电路的基本分析方法 １、分析方法：1）图解法：在特性曲线上用作图来进行分析 2）微变等效电路法：在一定条件下等效为线性电路进行分析 3) 计算机仿真一、直流通路，交流通路电路分析的两种基本电路：1）直流通路：静态工作点分析（UBEQ ,UCEQ , IBQ , ICQ ）2）交流电路：动态分析（AV，ri，r0） 1． 直流通路：直流信号通过的电路原则：遇C——视为开路?遇L——视为短路 1． 交流通路：交流信号通过的电路?原则：遇C——（充分大）——近似视为短路?遇L——（充分大）——近似视为开路直流电源（内阻小）：近似为短路。 §3.3　图解分析法一、静态分析 １静态工作点估算： 从输入特性中知：晶体管导通时UBE变化很小（硅管：0.6-0.8V；锗管：0.1-0.3V）一般情况UBEQ：（硅管：0.7V，锗管0.2V ）1) 从直流通路中：列KVL方程 IBQ*RB+UBEQ-EC=0IBQ=（EC-UBEQ）/RB2) 从晶体管电流分配关系ICQ=βIBQ3) 从直流通路中：列负载回路的KVL方程ICQ*RC+UCEQ-EC=0UCEQ=EC-ICQ*RC2. 用图解法确定Ｑ点1) 给出输入特性，输出特性曲线2)画出直流通路：标出IBQ，ICQ，UBEQ，UCEQ3)利用输入特性曲线来确定IBEQ和UBEQ?基极偏置线：UBE=EC-IB*RB 与输入特性曲线的交点对应的IBQ，UBEQ