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第五章 光辐射的探测第一节 物质中的光吸收 第二节 光探测的基本物理效应 第三节 光辐射探测过程中的噪声 第一节 物质中的光吸收光的吸收 光通过物质时，会与其中的电子、激子、晶格振动、杂质等发生相互作用，从而出现光的吸收现象。根据光的能量大小及材料的能级结构、掺杂物的性质等方面的区别，光的吸收可分成几种类型。本书主要介绍固体（主要是半导体）中如下几种主要的光吸收过程的特点。直接跃迁 本征吸收 间接跃迁 晶格振动吸收 自由载流子的光吸收 激子吸收杂质吸收 一、本征吸收 1、定义 本征吸收是指电子吸收光子能量后，由价带跃迁到导带的过程 2、产生的基本条件 这种跃迁主要发生在价带顶部与导带底部之间，因此产生本征吸收的基本条件是光子能量必须大于或等于禁带宽度 E g，即 式中 为能够引起本征吸收的最低频率,相应的波长即为本征吸收光谱中的长波限，表示为 式中h为普朗克常数；c为真空中光速； 的单位用eV表示。 3、电子从价带到导带的跃迁必须既满足能量守恒，又满足动量守恒。能量守恒和动量守恒在电子跃迁现象中体现为，电子在能级间跃迁要满足选择定则。根据能级结构的不同，本征吸收可分为直接跃迁和间接跃迁。 4、直接跃迁 （1）、特点 电子吸收能量后， 动量基本保持不变。 （2）、吸收系数 当 时，光的吸收系数可写成上式（式中A ,B是常数），理论计算B 为下式（式中e为电子电量；n为折射率） 若取 ，m为自由电子质量，对n＝4，可得出 （5－1－11） 式中 ， 的单位皆用电子伏特（eV）计算。 以上讨论对任何k值都成立，但在某些材料中，在 k＝0处电子的直接跃迁是禁止的，只有在 时，才允许存在直接跃迁，且 正比于 ，这时的吸收系数写成 （5－1－12） 式中 （5－1－14） 同样，当 时，对n=4，有 5、间接跃迁（1）、特点 k 动量发生变化 但动量守恒可表示为 （2）、吸收系数 伴随着吸收一个声子的间接跃迁对应的吸收系数 (当 )（5－1－23） 伴随着发射一个声子的间接跃迁所对应的吸收系数 (当)（5－1－24） (3)、发生条件 只能发生吸收声子的跃迁 吸收声子和发射声子的跃迁都 可以发生 跃迁不发生二、晶格振动吸收 1、格波 晶格中原子的振动都是由若干不同的基本波动按照波的叠加原理组合而成，这些基本波称为格波。 2、 称为声子 3、剩余射线带 当光子频率w介于长光学纵波（ ）和长光学横波（ ）之间时，介电常数将是负值，晶体的吸收系数 变得很大。通常将这个光频区域称为剩余射线带。 4、能量和动量守恒 （1）、一个光子只产生一个声子时 k是光子波矢；q是声子波矢 （2）、一个光子产生两个声子时 三、自由载流子的光吸收 1、定义 当入射光的能量比较低时，导带中的电子或价带中的空穴吸收光子后，引起载流子在能带内的跃迁，这个过程称为自由载流子的吸收。 2、特点 载流子的跃迁需要满足能量守恒和动量守恒 3、吸收系数 A,B,C 为与 无关的常数；S为波长指数；D与S近似为常数，S随半导体的掺杂而增大。 图5－1－5表明自由载流子的动量（k值） 的变化只发生在同一能带内。四、激子吸收 1、激子的定义 当光子能量小于 时，价带中的电子虽然跃出了价带，但无法到达导带，因而不能成为自由电子，而仍然收到空穴的库仑作用。这时受激电子与价带中空穴相互束缚成一个新的系统，电子与空穴既没有完全分离，也没有完全复合。这种束缚状态称为激子。由于这种激子能够在半导体中运动,也称为自由激子。 2、特点 激子不带净电荷，故不能形成电流；激子的吸收光谱基本集中在本征吸收长波限附近。五、杂质吸收 1、定义 一般半导体材料总不会是十分纯的，必然存在一些杂质和缺陷，而为了实际工作的需要，也常常要有意地对半导体材料进行掺杂。在杂质与缺陷出现的局部，晶格的周期性势场受到破坏，电子的能态与晶体中的其他部分是不相同的。杂质能级常常出现在禁带中，而且是在离导带不远（施主能级）或离价带不远（受主能级）的位置。当光照射到晶体上时，这些能级也可参与光吸收过程，电子可以吸收光子跃迁到导带，空穴也可以吸收光子跃迁到价带（或者说电子离开价带跃迁到杂质能级上），这种光吸收就称为杂质吸收。2、分类 受主能级与导带之间的跃迁（图中的f） 受主能级与价带能级之间的跃迁（图中的b和d） 施主能级与价带之间的跃迁（图中的c） 施主能级与导带能级之间的跃迁（图中的a和c） 杂质能级越深，越需要较大的光子能量才能引起杂质吸收。 图中的a和b中，所吸收的光子能量相当于杂级上电子或空穴的电离能，而c和d种，所吸收的光子能量，使得电子或空穴能够跃迁到导带或价带内部的