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半导体工艺实习报告 从1948年发明了晶体管，1960年集成电路问世，1962年出现第一代半导体激光器到如今21世纪的光电子时代，半导体制造工艺飞速发展着。而作为一名集成电路专业的本科学生，工艺实习无疑成为了我们的常做之事。在刚刚结束的两次半导体工艺实习课上，通过老师的耐心指导，我受益匪浅。 在第一次课程上，我首先见证了沙子的不甘平庸。硅是作为集成电路的基础性材料，而沙子则是提取硅最主要的来源。硅主要是由于它有一下几个特点：原料充分；硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、性质很重要；重量轻，密度只有2.33g/cm3；热学特性好，线热膨胀系数小，2.5*10-6/℃，热导率高，1.50W/cm·℃；单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好；机械性能良好等。在掌握了硅的优点之后，熟悉了单晶硅的生长。采用熔体生长法制备单晶硅棒：多晶硅→熔体硅→单晶硅棒。单晶硅的生长原理为：固体状态下原子的排列方式有无规则排列的非晶态，也可以成为规则排列的晶体，其决定因素有三方面: eq \o\ac(○,1)物质的本质，即原子以哪种方式结合； eq \o\ac(○,2)熔融液体的粘度，粘度表征流体中发生相对运动的阻力； eq \o\ac(○,3)熔融液体的冷却速度，冷却速度快，到达结晶温度原子来不及重新排列就降到更低温度，最终到室温时难以重组合成晶体，可以将无规则排列固定下来。 了解硅之后，又见识到了半导体材料的奇特。半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。 在了解完材料之后，老师带领着我们揭开了集成电路基本制造工艺的真正面纱。其基本的工艺步骤为：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、淀积（蒸发）和刻蚀等步骤。 （一）氧化 氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅（2iSO）膜的过程。这层膜的作用是：保护和钝化半导体表面：作为杂质选择扩散的掩蔽层；用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘；用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等等。 （二）扩散 半导体工艺中扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动。和气体在空气中扩散的情况相似，半导体杂质的扩散是在800-1400℃温度范围内进行。从本质上来讲，扩散是微观离子作无规则的热运动的统计结果。这种运动总是由离子浓度较高的地方向着浓度较低的地方进行，而使得离子得分布逐渐趋于均匀；浓度差别越大，扩散也越快。根据扩散时半导体表面杂质浓度变化的情况来区分，扩散有两类，即无限杂质源扩散（恒定表面源扩散）和有限杂质源扩（有限表面源扩散）。 （三）光刻 光刻是一种复印图象和化学腐蚀相接合的综合技术。它先采用照相复印的方法，将事先制好的光刻板上的图象精确地、重复地印在涂有感光胶的2iSO层（或AL层上），然后利用光刻胶的选择性保护作用对2iSO层（或AL层）进行选择性的化学腐蚀，从而在2iSO层（或AL层）刻出与光刻版相应的图形。 （四）薄膜淀积 淀积是在硅片上淀积各种材料的薄膜，可以采用真空蒸发镀膜、溅射或化学汽相淀积(CVD)等方法淀积薄膜。在真空蒸发淀积时，固体蒸发源材料被放在10-5Torr的真空中有电阻丝加热至蒸发台，蒸发分子撞击到较冷的硅片，在硅片表面冷凝形成约1um厚的固态薄膜。更为先进的电子束蒸发利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之淀积在硅片表面和离子注入、淀积（在硅片上淀积各种材料的薄膜）、刻蚀（去除无保护层的表面材料的过程）。 第二次课上，通过观擦学长与老师的现场操作，我学习到了如何验证三极管的偏差值。并掌握了三极管的使用与PN节的功率特性曲线等，这对我以后的实验与学习奠定了很好的基础。通过查