晶体理论简述.pptxVIP

　　自然界中物质的存在有三种状态：气态、液态、固态。 固体又可分为两种存在形式：晶体和非晶体。　　;晶体;;; 将晶体内的微粒视为几何上的点, 这些点所组成的几何构型称为晶格。而微粒所占有的位置称为晶格结点。 ;晶体结构：具有物质内容的空间点阵结构。 ;由晶格常数a，b， c，α，β，γ表 示， a，b，c 为 六面体边长， α， β，γ 分别是bc ca , ab 所形成的 三个夹角。;(2) 晶胞的内容：粒子的种类，数目及它在晶胞中的相对位置。 按晶格常数的差异将晶体分成??种晶系。;晶格的14种型式;; 单晶：单个晶体构成的物体。在单晶体中所有晶胞均呈相同的位向。;2. 晶面和密勒指数;（1)晶面　平面点阵所处的平面，可以利用三个互质的整数来描述空间一组互相平行平面的方向; ;（3）晶向指数是按以下几个步骤确定的： 1．以晶胞的某一阵点为原点，三个基矢为坐标轴，并以点阵基矢的长度作为三个坐标的单位长度； 2．过原点作一直线OP，使其平行于待标定的晶向AB，这一直线必定会通过某些阵点； 3．在直线OP上选取距原点O最近 的一个阵点P，确定P点的坐标值； 4．将此坐标值乘以最小公倍数 化为最小整数h、k、l，加上 方括号，[hkl] 即为AB晶向的 晶向指数。 如果h、k、l中某一数为负值， 则将负号标注在该数的上方。 ;在立方晶系中，具有相同指数的晶向和晶面必定是相垂直的，即[hkl] 垂直于（hkl）。例如：[100] 垂直于（100），[110] 垂直于（110），[111] 垂直于（111）等等。但是，此关系不适用于其它晶系。;(1) 离子晶体;硅的晶体结构：;硅单晶（100）方向的球极平面投影图 ;晶体缺陷：晶体中某些区域粒子的排列不象理想晶体那样规则和完整，这种偏离完整性的区域，或者说晶体中一切偏离理想的晶格结构称做晶体缺陷。; １、按照缺陷的形成和结构分类： 本征缺陷(固有缺陷)：指不是由外来杂质原子形成，而是由于晶体结构本身偏离晶格结构造成的缺陷。 杂质缺陷：指杂质原子进入基质晶体中所形成的缺陷。; （１）点缺陷：晶格结点粒子发生局部错乱的现象。 按引起点缺陷的粒子不同，可分为： 错位粒子、间隙粒子、替位粒子和空位。 　　点缺陷与材料的电学性质、光学性质、 材料的高温动力学过程等有关。;; 线缺陷：晶体中某些区域发生一列或若干列粒子有规律的错排现象称为线缺陷。 　　线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 线缺陷有两种基本类型： 刃型位错 螺型位错;; （３）面 缺 陷;（４） 体 缺 陷;２、按缺陷产生的原因分类;（1）热缺陷;;（2）杂质缺陷;（3）非化学计量缺陷;三、晶体生长理论简介;(1) 基元的形成：在一定的生长条件下，环境相中物质相互作用，动态地形成不同结构形式的基元，这些基元不停地运动并相互转化，随时产生或消失。 (2) 基元在生长界面的吸附：由于对流，热力学无规则运动或原子间吸引力，基元运动到界面上并被吸附。 (3) 基元在界面的运动：基元由于热力学的驱动，在界面上迁移运动。 (4) 基元在界面上结晶或脱附：在界面上依附的基元，经过一定的运动，可能在界面某一适当的位置结晶并长入固相，或者脱附而重新回到环境相中。 ; 均匀成核：在体系内任何部位成核率是相等的。 非均匀成核：在体系的某些部位（杂质、容器壁）的成核率高于另一些部位。 ;