电路基础与集成电子技术硅稳压二极管及其稳压电路.pptxVIP

第1页/共14页4.4.1 稳压二极管的主要参数 利用硅二极管反向击穿十分陡直，可以制作稳压二极管，从稳压二极管的伏安特性曲线可确定它的一些参数。 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (1) 稳定电压VZ ——图4.4.1 稳压二极管的伏安特性曲线 第4章 半导体二极管和晶体管 2010.02第2页/共14页(2) 动态电阻rZ—— 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性曲线上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?UZ /?IZ第4章 半导体二极管和晶体管 2010.02第3页/共14页 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZM= UZ IZMAX (3) 最大耗散功率 PZM ——第4章 半导体二极管和晶体管 2010.02第4页/共14页 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即 IZMAX = PZM/UZ而IZMIN对应UZMIN，即反向特性曲线刚刚击穿处对应的IZ 。若IZ＜IZMIN则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流 IZMAX 和最小稳定工作 电流IZMIN —————第4章 半导体二极管和晶体管 2010.02第5页/共14页(5) 稳定电压UZ的温度系数——?UZ 温度的变化将使UZ改变，在稳压管中当?UZ? ＞7 V时，UZ