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第九章：化学机械抛光;9.1 引 言;硅片的表面起伏问题
;平坦化的定性说明;平坦化的定性说明;9.2 传统的平坦化技术;1. 反刻（回蚀）
在表面起伏的硅片上涂上一层光刻胶或其它材料做为平坦化的牺牲层，然后利用比牺牲层快的刻蚀速率刻蚀高处部分的过程称为反刻（也称为回蚀）。反刻能达到局部平坦化。;1. 反刻（回蚀）
;2. 玻璃回流
玻璃回流是利用硼磷硅玻璃（BPSG）在高温（通常为850℃左右）的流动性进行的平坦化过程。玻璃回流只能达到部分平坦化，它不能满足亚微米IC中的多层金属布线技术的要求。;2. 玻璃回流;3. 旋涂膜层
通过在表面起伏的硅片上旋涂液体层间介质材料获得平坦化的技术。旋涂膜层技术在0.35μm及以上器件的制造中应用普遍。;3. 旋涂膜层;9.3 化学机械平坦化;20世纪90年代中期，CMP成为多层金属化深亚微米集成电路工艺的主要平坦化技术。
没有CMP就没有ULSI芯片。
CMP是表面全局平坦化技术。
CMP系统属于超精密设备， CMP技术平坦化后的台阶高度可控制到50?左右。;CMP的原理图
;CMP的机理
表面材料与磨料发生化学反应生成一层相对容易去除的表面层，这一表面层通过磨料中的研磨剂和研磨压力与抛光垫的相对运动被机械地磨去。CMP的微观作用是化学和机械作用的结合。; CMP技术的优点
1. 全局平坦化，台阶高度可控制到50?左右
2. 平坦化不同的材料
3. 平坦化多层材料
4. 减小严重表面起伏
5. 能配合制作金属图形（大马士革工艺）
6. 改善金属台阶覆盖
7. 减少缺陷
8. 不使用危险气体
; CMP技术的缺点
1. 新技术，工艺窗口窄，工艺变量控制相对较差。
2. 厚度及均匀性的控制比较困难加强终点检测。
3. 设备昂贵。;9.4 CMP的应用;STI 氧化硅抛光;LI 氧化硅抛光;LI 钨抛光;ILD 氧化硅抛光;双大马士革铜抛光
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