集成电路图设计基础电阻电容匹配.ppt

 电阻和电容的匹配;测得的器件比率相对于预期比率的偏离 比如一对10kΩ的电阻，制作后，测得为12.47kΩ和12.34kΩ。两电阻的比率为1.0105，比预期比率略大1%，这对电阻表现出1%的失配。 ;失配的原因-----随机变化;电阻匹配;2、工艺偏差;电阻长度的选择： 设长度为20um 和40um的电阻 若多晶硅刻蚀造成ΔL=0.2um， 则实际长度比为(20.2)/(40.2)=0.503，造成0.5%的失配。因此， 把匹配电阻分成相同尺寸的电阻段消除工艺误差 ;如果方块电阻小， 导线电阻、通孔电阻不可忽略;;4 刻蚀速率的变化;4 刻蚀速率的变化;4 刻蚀速率的变化-电容;5 光刻效应 光的干涉和衍射，造成线宽的变化和窄图形的变化，对1um以上没有影响，所以匹配器件不能采用亚微米尺寸； 增加虚拟单元可以避免光刻胶的显影速率的变化;6 扩散相互作用;7 氢化;8、机械应力和封装偏移;压阻效应 ;机械应力;电阻受应力的影响 ;共质心版图;共质心版图;匹配电阻;匹配电阻;;共质心版图规则;二维共质心阵列;11 温度梯度和热电效应; 热梯度;电阻布局 热匹配;热电效应;折叠电阻接触孔靠近 热电效应;12 静电影响 ;电压调制;;;静电屏蔽;静电屏蔽作用于电阻;静电屏蔽;器件匹配规则;电阻匹配规则;电阻匹配规则;;;;电阻匹配规