一种可吸收垂直入射光的管状量子阱红外探测器-Fudan.PDFVIP

一种可吸收垂直入射光的管状量子阱红外探测器 1,2 1 1 1,2 1,2 3 3* 1* 王晗 ，李世龙 ，甄红楼 ，李梦瑶 ，聂晓飞 ，黄高山 ，梅永丰 ，陆卫 (1. 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083 ； 2. 中国科学院大学，北京 100049 ； 3. 复旦大学 材料科学系，上海 200433) 摘 要：基于传统的光刻和化学湿法腐蚀工艺，通过卷曲技术，提出一种三维管状量子阱红 外探测器。该管状器件相比于未卷曲的平面器件，在垂直入射光照下，展现了优良的暗电流、 黑体响应和光电流响应率特性曲线。当工作温度60 K，偏置电压0.45 V 时，管状器件峰值 响应率为20.6 mA/W，峰值波长3.62 μm，最大量子效率2.3% 。从几何光学的角度分析了管 状器件的垂直光吸收原理，进而揭示了一种特殊的光耦合方式。最后，进一步测试了不同角 度入射光照射下的光电流响应率谱。由于微管的近似圆形对称性，器件具有很宽的视角，有 助于红外探测系统的设计。 关键词：卷曲微管；红外探测器；量子阱；光耦合 中图法分类号：TN362 文献标示码：A 引言 量子阱红外探测器(quantum well infrared photodetector, QWIP)作为20 世纪90 年代发展 起来的第三代红外探测器，具有材料生长工艺成熟、器件均匀性好、光响应速度快及波长连 [1-2] [3] 续可调等优点 ，在国防、航空航天、天文观测和民用领域等有广阔的应用前景 。QWIP 基于量子阱的子带跃迁，即在吸收外界光子后电子从阱内的基态跃迁到第一激发态进而形成 光电流来实现红外探测。由于量子阱的一维限制结构（电子在材料生长方向上受限），只有 [4] 电场分量沿着量子阱生长方向的入射光才能被其吸收 。因此，QWIP 存在着如何耦合外界 [5] 光的问题。图1(a)为最简单的光耦合方式——布儒斯特角耦合 ，器件响应和量子效率非常 o [6-7] o 低；图1(b)为45 边耦合 ，即入射光从器件边缘打磨出的45 斜面入射，这种方式不适用 于大规模的焦平面阵列；此外，在器件表面制作出金属或介质光栅、随机发射层或波纹层后， [8-10] [11] [12] 器件可以实现光栅耦合 、随机反射耦合 或波纹耦合 ，如图 1(c)、1(d)和 1(e)所示。 由于 QWIP 的子带跃迁工作模式，其量子效率较带间跃迁红外探测器偏小。因此，为提高 QWIP 的量子效率，一些具有电磁共振效果的光耦合结构被广泛采用。图1(f)展示了一种光 [13] 子晶体耦合结构 ，它可以实现器件的窄带增强响应；图1(g)和1(h)分别为金属二维孔洞阵 [14] [15] 列耦合结构 和金属-绝缘体-金属微腔耦合结构 ，同样可以提高器件的量子效率。值得 指出的是，由于利用耦合结构的共振模式，这些 QWIP 只能实现窄带的响应增强。我们提 出一种管状的量子阱红外探测器(tubular QWIP)，其无需额外的结构就能直接吸收垂直入射 [16] 光，并具有宽视角和宽频率的响应特点 。 本工作介绍了三维管状量子阱红外探测器件的设计和制备，给出了该器件在60 K 温度 下的暗电流、黑体响应和光电流响应等电学测试结果，并从几何光学的角度理解了器件吸收 垂直入射光