复旦大学半导体物理讲学课件1.doc

半导体物理 主讲人：蒋玉龙 微电子学楼312室Email: yljiang@ 1 课程简介1 课程代码：INFO130022.01 课程性质：专业必修 学分：3 时间：周三（3, 4）、周五（3, 4） 教室：Z2207 课程特点：内容广、概念多 课程要求：着重物理概念及物理模型；基本的计 算公式 课程考核：考勤（10%），作业（20%），期中 （30%），期末（40%） 课程简介2 参考书 1. Charles Kittel,《固体物理导论》，化学工业出版社 （2005） 2. 刘恩科，朱秉升，《半导体物理学》，国防工业出版社 （2003）. 3. 叶良修，《半导体物理学》，高等教育出版社（1987）. 4. R. M. Warner, B. L. Grung，《Semiconductor-Device Electronics》，电子工业出版社（2002）. 5. K. Seeger，《Physics of Semiconductor: An Introduction》，4th Ed. Springer-Verlag (2004). 6. 茹国平，《半导体物理讲义》（2007） 7. 陆昉，《半导体物理讲义》（2007） 课程简介3 量子力学 统计物理 固体物理 半导体物理 半导体 半导体 半导体 材料 器件 工艺 半导体 集成电路 第一章 绪论 一、什么是半导体(semiconductor) 二、半导体的主要特征 三、半导体的发展历史和现状 四、半导体的明天 一、什么是半导体(semiconductor)？ 导 体 半 导 体 绝缘体 电阻率 (Ωcm) 10 -4～ 10 10 10 10 10-6～ 10-4 L R = ρ L S S ρ 二、半导体的主要特征: 电阻率可在很大范围内变化 例子：杂质对半导体电阻率的影响 硅 2x10 5 Ω cm 硼 / 1 百 万 0.2 磷 / 1百 万 2x105 硅的纯度仍高达99.9999% ρ 温度对半导体的影响 纯硅: T=300K ρ=2x 105 Ω cm 半导体 T=320K ρ=2 x 104 Ω cm 金属 光照对半导体的影响 T 硫化镉(CdS)半导体薄膜，无光照时的暗电阻为几十MΩ， 当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ。 气体、压力、磁场等对半导体电 阻率都产生较大的影响 气敏传感器 压力传感器 霍尔传感器 三、半导体的发展历史和现状 第一阶段：现象观察(1833-1931年) z 1833年：M.Faraday发现半导体所具有的负电阻温度系数 ρ 半导体 金属 T z 1873年：W.Smith 首次发现半导体的光电导效应 z 1874年：F.Braun 首次发现半导体的整流效应 1883年：制造出硒整流器 1927年：制造出氧化亚铜整流器 z 1879年：Hall首次发现 Hall效应（半导体 RH0, RH0) z 1931年：H.Dember 首次发现了光电池效应 第二阶段：理论指导 z 1931年：A.H.Wilson 通过解薛定谔方程发展了能带理论 z 1942年前后，多位科学家提出了基本类似的整流理论 第三阶段：晶体管诞生 z 1947年：Bardeen等人制造了第一个晶体管 John Bardeen 诺贝尔 William Bradford Shockley Walter H. Brattain 1956 晶体管的三位发明人： 巴丁、肖克莱、布拉顿 第四阶段：集成电路出现 z 1958年：杰克-S-基尔比发明第一块集成电路 z 1966年：形成大规模集成电路 z 1971年: 英特尔公司研制出第一块 CPU集成电路4004(4位) z 1973年: 8008(8位)； 诺贝尔 z 1978年: 8086(16位)；…… SSI MSI LSI VLSI ULSI GSI 元件数 102 102 ~ 10 3 103 ~ 10 5 105 ~ 10 7 107 ~ 10 9 109 门数 10 10 ~ 102 102 ~ 104 104 ~ 106 106 ~ 108 108 2000 1946年，世界上第一台电子计算机诞生，重30吨，用 18000个电子管，电子管寿命有限，平均工作时间2.5小时 第 一 个 微 处 理 器 PENTIUM 4微处理器芯片（0.18微米，1.7GHz,4200万个元件） 2001年 集成电路发展的 Moore定律（1965年）: 晶体管数目（集成度）每十八个月增长一倍（即每三年增至四倍） 8080 8086 80286 80386 PentiumPro 80486 Pentium 微电子 - 纳电子 上海IC产业发展战略目标 年份 2000 2005 2010 2015 15