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习题 10
10.1 判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）场效应管的漏极电流受栅源电压形成的电场控制，因此称为场效应管。 （ ）
（2 ）栅极悬空时增强型场效应管存在导电沟道，漏极电流较大。 ( )
（3）栅源电压为 0 时存在导电沟道的场效应管是耗尽型场效应管。 （ ）
（4 ）N 沟道增强型场效应管的开启电压小于 0 。 （ ）
（5）结型场效应管外加的栅 -源电压应使栅 -源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其
R 大的特点。 （ ）
GS
（6）若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。 （ ）
答： （1）√ （2 ）× （3）√ （4 ）× （5）√ （6 ）×
10.2 选择正确的答案填入空内。
（1）场效应管的漏极电流是由 ( ) 的漂移运动形成的。
A. 少子 B.多子 C.两种载流子
（2 ）场效应管是一种 ( )控制型的电子器件。
A. 电流 B.光 C. 电压
（3 ）场效应管是利用外加电压产生的 ( )来控制漏极电流的大小的。
A. 电流 B. 电场 C. 电压
（4 ）与双极型晶体管比较，场效应管 ( )。
A. 输入电阻小 B.制作工艺复杂 C.放大能力较弱
(5) 当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 3mA 时，它的低频跨导将 ( )。
A. 增大 B.减小 C.不变
(6) 某场效应管的转移特性如由题图 10.2 所示，则该管是 ( )场效应管 。
A. 增强型 NMOS B.耗尽型 NMOS C.耗尽型 PMOS
i D/mA
V P 0 vGS/V
题图 10.2
(7) 当耗尽型场效应管工作于放大区时， 场效应管 ID 的数学表达式为 ( ) 。
v GS 2 vGS 2
A. i D IDSSe B. i D I DSS (vGS vDS ) C. i D I DSS (1 )
VGS( off )
（8 ）当栅源电压 VGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 ( ) 。
A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管
答： （1）B （2 ）C （3 ）B （4 ）C （5 ）A （6）B （7 ）C (8) AC
10.3 已知场效应管的输出特性曲线如题图 10.3 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
i D/mA
vDS/V
题图 1
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