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上海申和热磁电子有限公司 硅材料事业部 硅片加工项目 生产规模： 400000片/月 开工日期： 2002年6月 投产日期： 磨片产品 9月 抛光片产品　 10月 申和公司硅片出口加工项目 合作方： 日本东芝公司 日本三井物产 技术来源： 日本东芝公司 产品销售： 全部出品 硅片加工项目 产品种类： 主要轻掺杂硅片 掺杂剂：硼，磷 新增产品： 掺砷硅片 重掺硅材料 掺杂剂 电阻率 缺点 磷 　　0.0008－0.018 爆炸，自掺杂 锑 　　0.0018－0.018 原子大,挥发性 砷 0.0015－0.004 有毒性 硅材料中的砷 　　　　　硅材料事业部 第*頁 在纯净硅中有意识地掺入杂质砷 Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｐ Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi 电子 杂质磷原子 电子导电型 As 主要工艺流程 第*頁 多晶制造　单晶拉制　　切片 倒角 磨片　化学腐蚀　热处理 背损伤 CVD 边缘抛光　粗抛光 精抛光 　　清洗 检验　　洁净包装　 半导体基础知识 　　　　　　硅材料事业部 第*頁 物质的结构导体和绝缘体半导体杂质半导体二极管和三极管集成电路硅片衬底 　　　　　硅材料事业部 第*頁 物质的结构 　　　　　硅材料事业部 第*頁 原子是组成物质的基本单元 单质，化合物 H2O　　　NaCl O2 水 　盐 　　氧 物质的结构 　　　　　硅材料事业部 第*頁 原子由质子、中子和电子组成 质子和中子的半径是0.8╳10－15m 原子核的大小大约是10 －15至 －14m %(物质的结构 　　　　　硅材料事业部 第*頁 原子由质子、中子和电子组成 质子和中子形成原子核物质的性质由质子的数量决定 质子 中子 氢原子核 碳原子核 物质的结构 　　　　　硅材料事业部 第*頁 电子围绕原子核旋转 问题：氢原子核的半径是0.8╳10－15m，核外电子的轨道半径是0.53╳10－10m，如果把原子核放大到0.1mm（尘粒），则电子离原子核多远？ 物质的结构 　　　　　硅材料事业部 第*頁 核外电子分层排布 内层电子比较稳定 最外层电子决定物质的导电性能 1 2 8 4 2 8 5 2 3 氢（H）　硅（Si)　　　　硼（B） 磷（P） 导体与绝缘体 　　　　　硅材料事业部 第*頁 物质的导电性 带电粒子在电场作用下定向流动 电子导电 离子 导电 铜导线 电子 盐水 电极 Cl- Na+ + - 导体与绝缘体 　　　　　硅材料事业部 第*頁 电阻率的定义 电阻R = ρ × 面积 导线 长度 长度L 面积S 导体与绝缘体 　　　　　硅材料事业部 第*頁 各种物质的电阻率(单位ΩＭ） 银(Ag) 1.6×10-8 铜(Cu) 1.7×10-8 铝(Al) 2.9×10-8 半导体 10２—10７ 电木 1010—1014 橡胶 1013—1016 导体与绝缘体 　　　　　硅材料事业部 第*頁 外层电子数量对导电性能的影响 第一层饱和电子数是２ 最外层饱和电子数是８ Ａg Si Cu Ar 银　　　　铜　　　　　硅　　　　　氩 导体与绝缘体 　　　　　硅材料事业部 第*頁 金属原子的外层电子易脱离原子而成为自由电子，这是金属易于导电的原因。 金属导电示意 金属原子 自由电子 导体与绝缘体 　　　　　硅材料事业部 第*頁 非金属原子的外层电子不易脱离原子而成为自由电子，这是非金属不易于导电的原因。 束缚电子 半导体元素 　　　　　硅材料事业部 第*頁 原子的外层电子数为４ 2 8 4 2 8 4 1８ 硅 　锗 半导体元素 　　　　　硅材料事业部 第*頁 原子的外层电子数为４ 纯净的半导体是不导电的 一个硅原子分别与４个其它的硅原子组合 外层电子共用，形成共价健 纯净的半导体中没有自由电子　 半导体元素 　　　　　硅材料事业部 第*頁 纯净硅的结构 Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi 杂质半导体 　　　　　硅材料事业部 第*頁 在纯净硅中有意识地掺入杂质磷 Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｐ Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi 电子 杂质磷原子 电子导电型 Ｐ 杂质半导体 　　　　　硅材料事业部 第*頁 在纯净硅中有意识地掺入杂质硼 Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｂ Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi Ｓi 空穴