传感器期末复习题 2.docVIP

一、填空题（每题3分） 1、传感器通常由直接响应于被测量的　敏感元件　　　、产生可用信号输出的转换元件、以及相应的信号调节转换电路组成。 3、半导体材料的压阻效应是　指应力作用下半导体电阻率的变化，这种现象称为压阻效应。 4、金属丝应变片和半导体应变片比较其相同点是受到压力时应变，从而导致材料的电阻发生变化。 5、金属丝应变片和半导体应变片比较其不同点是　灵敏度　金属材料的应变效应以机械形变为主，材料的电阻率相对变化为辅；而半导体材料则正好相反，其应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主，而机械形变为辅。 7、固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称　　压阻　　　效应。 8、应变式传感器是利用电阻应变片将　应变/变形　转换为电阻变化的传感器。 9、应变式传感器是利用电阻应变片将 应变 转换为 电阻 变化的传感器。 14、要把微小应变引起的微小电阻变化精确地测量出来，需采用特别设计的测量电路，通常采用　 电桥 　电路。 16、变极距型电容传感器做成差动结构后，灵敏度提高原来的　2　倍。 22、电涡流传感器可用于　位移测量　、振幅测量、转速测量和无损探伤。 26、电涡流传感器从测量原理来分，可以分为高频扫射式和　 低频透射 两大类。 28、压电式传感器可等效为一个电荷源和一个　电容　并联，也可等效为一个与电容相串联的电压源。 33、热电动势来源于两个方面，一部分由两种导体的　接触电势　构成，另一部分是单一导体的温差电势。 34补偿导线法常用作热电偶的冷端温度补偿它的理论依据是中间导体 律。 35、常用的热电式传感元件有　 热电偶 　和热敏电阻。 36、热电偶是将温度变化转换为 电动势变化 的测温元件，热电阻和热敏电阻是将温度转换为 电动势 变化的测温元件。 38、热电阻最常用的材料是　铂　和铜，工业上被广泛用来测量中低温区的温度，在测量温度要求不高且温度较低的场合，铜热电阻得到了广泛应用。 40、霍尔效应是指　垂直于电流方向加上磁场，由于载流子受到洛伦磁力的作用，则在平行于电流和磁场的两端　的现象。 41、制作霍尔元件应采用的材料是　 N型半导体 　，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现电势差最大。 43、按照工作原理的不同，可将光电式传感器分为　光电效应 传感器、红外热释电传感器、固体图像传感器和光纤传感器。 45、光电传感器的理论基础是　光电效应 。 46、用石英晶体制作的压电式传感器中，晶面上产生的　电荷　　与作用在晶面上的压强成正比，而与晶片　　几何尺寸　　和面积无关。 48．电阻应变片是将被测试件上的 应变 转换成 电阻 的传感元件。 52、物质的光电效应通常分为外光电效应、 内光电 效应和光生伏特效应三类。 53、压电式传感器的工作原理是以晶体的 压电 效应为理论依据。 56、霍尔电势与半导体薄片的厚度成 反 比。 59、红外测温仪是利用热辐射体在 红外波段 波段的辐射通量来测量温度的。 67、霍尔传感器是利用霍尔效应原理将被测量转换为 电势 的传感器。 76、热电偶回路产生的电势由 接触电动势 电势和温差电势两部分组成。 77、光电管是利用　　　外光电　　 效应制成的光电元件。 82、光电效应通常分为外光电效应、 内光电 和光生伏特效应。 90、光电池是基于 光生伏特 效应。 二 、选择题 (每题2分，15题共30分） 1、金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由 ( B ) 来决定的。 A、贴片位置的温度变化 B、 电阻丝几何尺寸的变化 C、电阻丝材料的电阻率变化 D、外接导线的变化 2、不能用涡流式传感器进行测量的是 ( D ) 。 A 位移 B 材质鉴别 C 探伤 D 非金属材料 3、不能采用非接触方式测量的传感器是：（ C ）。 A、霍尔传感器；B、光电 传感器；C、热电偶；D、涡流传感器 4、通常所说的传感器核心组成部分是指：（ B ） A、敏感元件和传感元件 B、敏感元件和转换元件 C、转换元件和调理电路 D、敏感元件、调理电路和电源 5、下列四种光电元件中，基于外光电效应的元件是：（ C ） A、光敏二极管 B、硅光电池 C、光电管 D、光导