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电路中D3、D4的作用是提高开关速度,当Uo由1跳到0时,经D3、D4提供放电回路,加速Uo的下降速度。R4电阻由接地改为接在Uo上的目的是降低静态功耗,R1电阻取值改为20kΩ也是为了降低电路的功耗。该电路的电阻值比TTL门电路相应的电阻值大,主要目的是降低电路的功耗。实现的是与非的逻辑功能。
电路中二极管采用肖特基二极管,其正向导通压降为0.4V,而肖特基三极管的发射极的正偏电压为0.7V,集电极的正偏电压为0.4V。因此,电路的阈值电压将变为:
=0.7+0.7-0.4=1.0V
输出的高低电平值:UOH=3.6V UOL=0.3V。
输入端的短路电流IIL=
习题2.6 习题2.6图TTL与非门电路所示的电路中,若在某一输入端与地之间接一电阻R,其余输入端悬空,试问:
⑴ 保证与非门可靠关闭时的最大电阻即关门电阻ROFF为多大值?
⑵ 保证与非门可靠开通时的最小电阻即开门电阻RON为多大值?
解:若在输入端A与地之间接一电阻Ri,则Ri与地之间的电压Ui为:
(1)≤
即 ≤0.8V
Ri ≤0.686k?
ROFF ?700?
(2) ≥ 即
≥1.5V
由此可得:
Ri ≥1.6k? , 一般选RON=2k?
工程计算:
得 RON =ROFF?1.5k?
习题2.7 习题2.7图所示电路由TTL与非门组成。设G1~G4门的平均传输延迟时间相同为30ns,现测得输出端F的振荡频率为3.2MHz,试求G5的平均传输延迟时间tpd5。
习题2.7图
习题2.7图
F
G1
G2
G3
G4
G5
解:根据F的频率求出F的振荡周期,T=312.5ns,由于五个与非门输出为原信号的非,所以延迟时间应为T/2≈156ns,则第五个与非门的延迟时间为36ns。
习题2.8 有两个TTL与非门芯片,测得它们的关门电平分别为UOFFA = 1.1V,UOFFB = 0.9V;开门电平分别为UONA = 1.3V,UONB = 1.7V。它们输出的高电平和低电平相同,试判断哪一个门的抗干扰能力大?
解:描述门电路的抗干扰能力的大小通常用噪声容限UN来衡量。通常噪声容限电压UN越大,门电路的抗干扰能力越强。
低电平噪声容限UNL是指在保证输出高电平的前提下,允许叠加在关门电平UOFF上的最大正向干扰电压。
高电平噪声容限UNH是指在保证输出低电平的前提下,允许叠加在开门电平上的最大负向干扰电压。
由于两个门的输出的高电平和低电平相同,而开门电平和关门电平却不相同,因此抗干扰能力是不同的。
C1T1习题2.9图
C1
T1
习题2.9图
B
UC
RC
C2
线与
T2
F
R2
A
R1
C1
C2
F
(b)
(a)
可知: ≥
高电平噪声容限UNH:
可知:≥
综上分析可知:门A的抗干扰能力比门B大。
习题2.9 习题2.9图(a)所示电路中,输出
F与C1和C2之间具有与逻辑关系,称为线与,用
虚线框标注。试写出F与C1和C2之间的电平关
系表、真值表和逻辑式,并画出等效的逻辑图。
解:由电路图可知,当A和B中有一个为高
电平时,设A为高电平,它所对应的三极管T1将
饱和导通,C1为低电平,此时输出F也为低电平。
习题表2.6C1 C2FL LL HH LH HLLLH习题表2.7C1 C2F
习题表2.6
C1 C2
F
L L
L H
H L
H H
L
L
L
H
习题表2.7
C1 C2
F
0 0
0 1
1 0
1 1
0
0
0
1
采用正逻辑体制进行描述,高电平用逻辑1来表示,低电平用逻辑0来表示,可得描述电路逻辑关系的真值表如习题表2.7所示。由真值表写出电路的逻辑表达式:
电路的等效图如习题2.9图(b)所示。
习题2.10 若要实现习题2.10图中各TTL门电路输出端所示的逻辑功能,各电路的连接是否正确?如果不正确,试说明理由。
(a)
(a)
A
B
悬空
A
C
习题2.10图
F1=AB
≥1
A
B
F4=A+B
(d)
A
B
F5=ABCD
(e)
D
A
B
F2=AB
(b)
≥1
A
B
悬空
F3=A+B
(c)
100Ω
≥1
F6=AB+CD
(f)
B
C
D
Ucc
解:本题目涉及TTL门电路的正确使用的问题,解题时主要从以下几个方面来判断:
门电路的多余输入端的处理;
E2
E2
RE
T1
B
UC
RC
线或
T2
F
A
(a)
E1
习题2.11图
(b)
F
E1
E2
≥1
输出端不能直接相接;
带载能力的问题。
(a) 正确;
(b) 错误,F=0;
(c) 错误,F=0;
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