GBT系统级封装（SiP）电路封装一体化基板通用要求.pdf

ICS 中华人民共和国国家标准 系统级封装（SiP） 电路封装一体化基板通用要求 General requirements for integral substrate of System in Package （SiP） 前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009 《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则编写。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 I 系统级封装（SiP）电路封装一体化基板 通用要求 1 范围 本标准规定了系统级封装（SiP ）电路封装一体化基板的通用要求，以及MCM-C 、MCM-D 、 MCM-C/D 、MCM-L等典型电路封装一体化基板的材料、尺寸和结构等详细要求。并进一步规定了系统 级封装（SiP ）电路封装一体化基板的基板堆叠、封装堆叠要求。 本标准适用于自身作为系统级封装（SiP ）外壳整体一部分或全部结构的基板的可制造性设计、加 工工艺、封装堆叠工艺。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 9178-88 集成电路术语 GB/T 8976-1996 膜集成电路和混合膜集成电路总规范 GB/T 12842-1991 膜集成电路和混合膜集成电路术语 GB/T 16261-2017 印制板总规范 GJB 2438a-2002 混合集成电路通用规范 GJB 597B-2012 半导体集成电路通用规范 GB/T XXXX-20XX 系统级封装(SiP) 术语（征求意见稿） 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3.1 电路封装一体化基板 integral substrate 电路封装一体化基板应满足GJB2438A-2002 中术语“一体化基板/外壳”的要求，或基片自身堆叠封 装构成具备电气性能的外壳。 电路封装一体化基板应具备互连电路功能，实现IC裸芯片和其他微型无源器件电气连接、屏蔽，并 作为一部分或全部封装结构提供保护、支撑、散热、焊接等功能。 3.2 共烧/沉积型混合多芯片组件 MCM- deposited thin film on cofired ceramic （MCM-C/D） 在MCM-C表面采用薄膜工艺制作高密度的薄膜多层布线层，从而形成薄膜与厚膜一体化布线的混 合多层互连基板。 3.3 玻璃激光诱导加工 laser induced drill on glass 采用激光引发、活化玻璃形成变性结构，并采用刻蚀液去除从而形成所需结构的工艺。 3.4 基板堆叠 substrate stack 采用穿孔互连技术将多个基板在厚度方向上装配在一起形成一个完整功能单元。 3.5 1 封装等级 package level 封装等级是封装堆叠中各基板的不同功能层次，按照集成密度由低到高依次排列。 4 基板要求 4.1 基板通用要求 系统级封装（SiP ）电路封装一体化基板一般应用于级联器件、功能模块、多芯片母板等一体化SiP ， 应作为封装的底层、互连、封盖等主体结构，同时具备电路和封装两种功能设计。 系统级封装（SiP ）电路封装一体化基板设计、加工应满足产品应力、翘曲度、热膨胀系数、抗弯 强度、互连、气密性等结构强度要求。 除封装的结构强度要求外，系统级封装（SiP）电路封装一体化基板应满足各类型基板自身的设计、 工艺技术通用要求。 应根据成本