数字电子技术基础 第七章存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列.ppt

存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列;教学基本要求：;概 述;7.1 只读存储器;存储器;几个基本概念：; 只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory); 存储矩阵 ;1）ROM结构示意图;字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1，无二极管相当存0;字线; 有一种可编程序的 ROM ，在出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要将某些单元改写为 “0”,但是，只能改写一次，称为 PROM。;三、可擦除可编程ROM（EPROM）;7.1.3 可编程ROM（256X1位EPROM）;与EPROM的区别是： 浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A (埃)的薄绝缘层。;与EPROM的区别是: 1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS (N沟道叠栅管)管的源极N+区和漏极N+区是对称的； 2. 浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。;7.1.4 集成电路ROM; ;7.1.5 ROM的读操作与时序图;（1） 用于存储固定的专用程序;C ;C (A4);用ROM实现二进制码与格雷码相互转换的电路 ;7.2 随机存取存储器（RAM）;7.2.1 RAM的结构与工作原理;;;（2） 存储矩阵;（2） 存储矩阵; *动态RAM存储单元（DRAM）--以三管和单管动态存储单元为例;写入数据：;读出数据：;刷新数据：; 单管动态RAM存储单元电路如图：;（3）片选信号与读/写控制电路;8.1.1 RAM的结构与工作原理;8.1.2. RAM的扩展——位扩展和字扩展、全扩展;2. 字扩展; 3、全扩展：字数加倍，位数也加倍的扩展方式。 例：将4K×4的RAM扩展为16K×8的存储系统。;8个芯片构成4组，每组2片。数据线D0～D7、片内地址线A0～A11，片选地址线A12 ,A13需2/4线译码器来译码。;;7.2.3 RAM MCM6264;1024 ? 4位RAM（2114）的结构框图;;1;7.3 复杂可编程逻辑器件(CPLD);7.3 复杂可编程逻辑器件(CPLD);7.3.1 CPLD的结构;通用的CPLD器件逻辑块的结构;XG500系列乘积项分配和宏单元;可编程内部连线;I/O单元是CPLD外部封装引脚和内部逻辑间的接口。每个I/O单元对应一个封装引脚，对I/O单元编程，可将引脚定义为输入、输出和双向功能。 ;7.3.2 CPLD编程简介;计算机根据用户编写的源程序运行开发系统软件，产生相应的编程数据和???程命令，通过五线编程电缆接口与CPLD连接。;将多个CPLD器件以串行的方式连接起来，一次完成多个器件的编程。这种连接方式称为菊花链连接。