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第2章 常用电子元器件的应用(2) ;第2章 常用电子元器件的应用 ;2.3 电感器;2.3.2 电感器的主要技术参数 1.标称电感量 2.允许误差 3.额定工作电流 4.品质因数 5.分布电容;2.3.3 电感器的种类 1.立式密封固定电感器 2.卧式密封固定电感器 3.可调电感器 4.磁珠;? 固定电感;? 变压器;2.3.4 电感器的应用 1.根据电路要求选用电感器 2.据误差要求，按系列值选用电感器 3.电流值要减额 4.注意品质因数 —— Q值 5.在LC去耦时，考虑直流电阻 6.感抗 XL=2πfL 7.感性负载驱动;图2.3.14 感性负载的驱动;补充-元件值的表示方法;? 数码;? 色码;阻值：;习惯标识;补充-连接器;3. IC插座;5. 插接端子排;2.4 晶体管;图（c）中J为电磁继电器线圈，二级管将抑制此感性负载在晶体管T由饱和跳变到截止时所产生的大幅度的反向电动势，从而保护T。 图（d）为脉冲微分限幅电路，将在输出削去负尖脉冲。; 图（e）为RAM数据保持电路。后备银锌电池E=3.6V，在RAM 正常工作时，RAM 由+5V电源供电，且可通过D 对E充电。断电时，RAM 由E 供电，D 将E 和电路+5V端隔离。 图（f）为RC 充放电电路。充电通过D1R1进行，而放电则通过D2R2 进行。 ;;2．高速开关管 ;检波二极管 和整流管不同之处在于工作在小信号、高频率的电路中，如各种检波器。故其电流小，结电容小，工作频率高。;3．硅整流桥 ;常见硅整流桥的外形;4．肖特基（Schottky）二极管;5．快恢复（Fast Recovery）二极管;设计电路选用各种二极管时应注意以下几点：;（4）正向管压降 在低电压大电流的整流电路里，整流二极管的管压峰不能忽略。对于图2.3.1（e）的隔离二极管D，若希望RAM的VCC4.8V，则可以选用正向压降在0.1～0.2V之间的肖特基二极管。 （5）工作频率 二极管的最高工作频率与其结构与工艺密切相关，例如普通硅整流管PN 结为平台结构，结电容大，正向整流大，工作频率低。2AP型锗二极管为点接触型，结电容小、工作频率高，正向压降也小。 （6）反向漏电流 ;2.4.2 半导体三极管;金属封装;塑料封装;贴片三极管;2．通用功率管;塑料封装;金属封装;达林顿（Darlingtons）功率管;3．双极性半导体三极管选用时的注意事项 ;（1）确定三???管的类型 （2）极限参数 晶体管特性表一般均会给出极限参数，设计时必须对ICM、PCM、BVCEO（或V(BR)CEO—基极开路时的集电极发射极间的击穿电压）、 BVEBO、ICBO、?、fT（特征频率，fT=f?，f为工作频率）等参数进行减额使用。其中由于BVCEOBVCESBVCERBVCEO，所以只要BVCEO满足要求就可以了。 一般高频工作时，fT的减额因子可选为0.1～0.2。;（1）确定三极管的类型 （2）极限参数 （3）开关参数;（1）确定三极管的类型 （2）极限参数 （3）开关参数;（1）确定三极管的类型 （2）极限参数 （3）开关参数 （4）共射极交流小信号电流放大系数?（hFE） （5）发热及散热问题 （6）部分晶体管内部并联高速反向保护二极管 ;2.4.3 场效应管;1．结型场效应管;1．结型场效应管;1．结型场效应管;2．绝缘栅金属氧化物场效应管 ; 3．FET应用时的注意事项;注意事项（续）;2.4.4 功率VMOS 场效应晶体管;2.3.4 功率VMOS 场效应晶体管;VMOS 器件的特点;VMOS 器件的特点;VMOS 器件的特点;VMOS 器件的特点;2. VMOS特性表;3. VMOS 应用实例;灯泡寿命延长器;图（b）为某电池供电的便携式仪器利用VMOS 做为模拟开关的应用。由于电源开关为单触点的薄膜开关而非双触点的机械开关，故使用了此电路。4043为四重RS 触发器。电路接通瞬间由0.1?F电容和100k?电阻使其Q=1，VMOS 管断。接下“开”按钮时，R=0，Q=0，VMOS 管通，电源通往用电回路。选用大电流管TP8P10（RDS?0.4?）以减小VMOS 管导通损耗。;图（c）为VMOS简单逆变电源。4011电路组成不对称RC多谐振荡器，它输出的二个反相脉冲分别;图（d）中的RC不对称多沿振荡器产生约100kHz的方波控制VMOS管的通断。D1、D2和二只0.1?F的电容构成二倍压整流电路。利用稳压管可获得－(3～5)V的输出。;2.4.5 晶体管阵列 ;ULN2003 也是晶体管阵列;晶体管阵列;2.5 表面贴装元器件 ;表2.5.1 表面贴装元器件的分类;2.5.1 表贴无源元器件; 2．片状电位器（可调电阻器）;3．矩形片状陶瓷电容器;4．片状