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碳化硅电力电子器件的发展现状分析 目 录 1. SiC 器件的材料与制造工艺 2 1.1 SiC 单晶 2 1.2 SiC 外延 3 1.3 SiC 器件工艺 4 2. SiC 二极管实现产业化 5 3. SiC JFET 器件的产业化发展 6 4. SiC MOSFET 器件实用化取得突破 7 5. SiC IGBT 器件 8 6. SiC 功率双极器件 9 7. SiC 功率模块 10 8. 国内的发展现状 11 9. SiC 电力电子器件面对的挑战 11 9.1 芯片制造成本过高 11 9.2 材料缺陷多，单个芯片电流小 12 9.3 器件封装材料与技术有待提高 12 10. 小结 12 .. 在过去的十五到二十年中， 碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就，所研 发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件， 并且成功实现了部分碳化硅器件的产业 化， 在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并初步展现出其巨大的潜 力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到革命性的推动作 用。随着 SiC 单晶和外延材料技术的进步，各种类型的 SiC 器件被开发出来。 SiC 器件 主要包括二极管和开关管。 SiC 二极管主要包括肖特基势垒二极管及其新型结构和 PiN 型二极管。 SiC 开关管的种类较多，具有代表性的开关管有金属氧化物半导体场效应开 关管（ MOSFET ）、结型场效应开关管（ JFET ）、绝缘栅双极开关管（ IGBT ）三种。 1. SiC 器件的材料与制造工艺 1.1 SiC 单晶 碳化硅早在 1842 年就被发现了，但直到 1955 年，飞利浦（荷兰）实验室的 Lely 才开发出生长高品质碳化硅晶体材料的方法。到了 1987 年，商业化生产的 SiC 衬底进 入市场， 进入 21 世纪后， SiC 衬底的商业应用才算全面铺开。 碳化硅分为立方相 （闪锌 矿结构）、六方相（纤锌矿结构）和菱方相 3 大类共 260 多种结构，目前只有六方相中 的 4H-SiC 、 6H-SiC 才有商业价值，美国科锐（ Cree）等公司已经批量生产这类衬底。 立方相（ 3C-SiC ）还不能获得有商业价值的成品。 SiC 单晶生长经历了 3 个阶段 , 即 Acheson 法、 Lely 法、改良 Lely 法。利用 SiC 高 温升华分解这一特性，可采用升华法即 Lely 法来生长 SiC 晶体。升华法是目前商业生 产 SiC 单晶最常用的方法， 它是把 SiC 粉料放在石墨坩埚和多孔石墨管之间，在惰性气 体（氩气）环境温度为 2 500℃的条件下进行升华生长，可以生成片状 SiC 晶体。由于