三极管特性曲线学习版.ppt

三、温度对晶体管特性的影响 由于三极管也是由半导体材料构成，和二极管一样，温度对晶体管的特性有着不容忽视的影响。表现在以下三个方面： 1、温度对UBE的影响：输入特性曲线随温度升高向左移，这样在IB不变时，UBE将减小。UBE随温度变化的规律与二极管正向导通电压一样，即：温度每升高1℃，UBE减小2～2.5mV。 2、温度对ICBO的影响：ICBO是集电结的反向饱和电流，它随温度变化的规律是：温度每升高10℃，ICBO约增大一倍。 演示课件 3、温度对β的影响：晶体管的电流放大系数β随温度升高而增大，变化规律是：每升高1℃，β值增大0.5～1%。 在输出特性曲线上，曲线间的距离随温度升高而增大。 总之： 温度对UBE、ICBO和 β的影响反映在管子上的集电极电流 Ic上，它们都是使 Ic随温度升高而增大，这样造成的后果将在后面的放大电路的稳定及反馈中详细讨论。 演示课件 四、三极管的开关工作特性： （轮流工作在饱和模式和截止模式下） 三极管的开关特性在数字电路中用得非常广泛，是数电路中最基本的开关元件，通常不是工作在饱和区就是工作在截止区，而放大区只是出现在三极管由饱和区变为截止或由截止变为饱和的过渡过程中，是瞬间即逝的， 因此对开关管，我们要特别注意其开关条件和它在开关状态下的工作特点。（重点在结论） 演示课件 如右图电路中： 当UI=0时， 晶体管截止 当UI=3V时，晶体管饱和导通。 IB IC 演示课件 ① 饱和导通条件及饱和时的特点： 条件：三极管临界饱和时 UCE=UCES , Ic=ICS , IB=IBS 由上面电路知 ： 其中UCES很小 ！ 演示课件 在工作中，若三极管的基极电流IB大于临界饱和时的IBS，则晶体管T导通，即 当 : 时，T 导通 特点：由输入和输出特性知：对硅管来说，饱和导通后，UBE=UBES= 0.7V，UCE= UCES≤0.3V，如同闭合的开关。 演示课件 ② 截止条件及截止时的特点： 条件：UBEUON= 0.5V，VON为硅管发射结的死区电压。 由三极管的输入特性知道，当UBE 0.5V时，管子基本上截止的，所以，在数字电路的分析估算中，常把UBE 0.5V作为截止条件。 特点：三极管截止时，IB ≈ 0 , Ic ≈ 0，如同断开的开关。 演示课件 ③ 简化电路模型： 前面我们讲到三极管在饱和模式和截止模式下呈现受控开关特性，那么，它工作在这两种模式的转换之下就可实现开关电路，现在我们分别来看一下其饱和模式和截止模式下的等效电路。 以共发射极接法为例： 演示课件 UBES=0.7V UCES 0.3V 演示课件 五、三极管的主要参数 三极管的参数是用来表征管子各方面性能及其运用范围的指标，可以做为电路设计，调整和使用时的参考。其主要参数有： 1、电流放大系数： 直流放大系数： （以上系数在讨论大幅度信号变化或涉及直流量时使用） 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 演示课件 §1-5-3 晶体三极管的伏安特性曲线 晶体管的伏安特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式，其特点是能直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。 晶体管的特性曲线一般用实验方法描绘或专用仪器（如晶体管图示仪）测量得到。 晶体三极管为三端器件，在电路中要构成四端网络，它的每对端子均有两个变量（端口电压和电流），因此要在平面坐标上表示晶体三极管的伏安特性，就必须采用两组曲线簇，我们最常采用的是输入特性曲线簇和输出特性曲线簇。 演示课件  输入特性是指三极管输入回路中，加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。 （1）UCE = 0时相当于集电极与发射极短路，此时，IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联的伏安特性。 因为此时JE和JC均正偏，IB是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。 一、输入特性曲线 演示课件 输入特性曲线簇 演示课件 （2）UCE≥1V 即：给集电结加上固定的反向电压，集电结的