PN结的形成及其特性.pptVIP

* * 主要内容：1.PN结的形成 2.PN结的单向导电性 教学目的：使大家熟悉PN结的形成过程， 　　　　　掌握PN结的单向导电性。 教学方法：课堂讲授 教学重点：PN结的单向导电性 教学难点：PN结的单向导电性 教学手段：传统板书、多媒体课件 课堂要求：认真听讲、做好笔记 时间分配：20分钟 P型半导体：在硅（或锗）晶体中掺入微量的三价元素硼，空穴是多子，电子是少子，主要是靠空穴导电的，因此又叫空穴半导体； N型半导体：在硅（或锗）晶体中掺入微量的五价元素磷，电子是多子，空穴是少子，主要是靠电子导电的，因此又叫电子半导体； 定义：通过特殊的工艺，使一块半导体一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，在这两种半导体的交界处，就会形成一个具有特殊导电性能的过渡层，这个过渡层就称为PN 结。 P型半导体 N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 N型半导体 扩散运动 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 空间电荷区 P型半导体 N型半导体 扩散运动 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 空间电荷区 内电场 漂移运动 P型半导体 N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 空间电荷区 内电场 漂移运动 1.PN结正向偏置 内电场 外电场 1.PN结正向偏置 P N E + _ R － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + 正向电流 内电场 2.PN结反向偏置 P N E + _ R － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + 外电场 － － － － － R + + + + + 内电场 外电场 2.PN结反向偏置 P N E + _ － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + 特点：PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流。 也可以说：PN结正偏时，正向电阻很小， 而正向电流较大； PN结反偏时，反向电阻很大， 而反向电流很小； 伏安特性理论分析： I=Is(eU/UT-1) （Is为反向饱和电流，UT为温度电压当量。在室温下，UT＝26mV） 当外加正向电压（U＞0）时， I≈IseU/UT， 说明正向电流随正向电压按指数规律变化； 当外加正向电压（U＜0）时， I≈-Is， 说明反向饱和电流是一般常数，不随外加电 压而变动。 0.6 0.7 0.1pA 49 1.1 I (mA) V (v) *