化学气相沉积基本原理、工艺和应用举例.pptVIP

* 激光化学沉积就是用激光（CO2或准分子）诱导促进化学气相沉积。激光化学气相沉积的过程是激光分子与反应气分子或衬材表面分子相互作用的工程。按激光作用的机制可分为激光热解沉积和激光光解沉积两种。激光热解沉积用波长长的激光进行，如CO2激光、YAG激光、Ar+激光等，一般激光器能量较高、激光光解沉积要求光子有大的能量，用短波长激光，如紫外、超紫外激光进行，如准分子XeCl、ArF等激光器。 LCVD * 化学气相沉积生产装置 气相反应室 加热系统 气体控制系统 排气系统 CVD装置 * 卧式反应器 可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置 * 立式反应器 可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置 * 桶式反应器 可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置 * LPCVD反应器本身是以退火后的石英所构成，环绕石英制炉管外围的是一组用来对炉管进行加热的装置，因为分为三个部分，所以称为“三区加热器”。气体通常从炉管的前端，与距离炉门不远处，送入炉管内（当然也有其他不同的设计方法）。被沉积的基片，则置于同样以适应所制成的晶舟上，并随着晶舟，放入炉管的适当位置，以便进行沉积。 采用直立插片增加了硅片容量 热壁LCVD装置 * 电感耦合产生等离子的PECVD装置 等离子体增强CVD装置 * 平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上，压强通常保持在133Pa左右，射频电压加在上下平行板之间，于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电，并产生等离子体 等离子体增强CVD装置 * 扩散炉内放置若干平行板、由电容式放电产生等等离子体的PECVD装置。它的设计主要是为了配合工厂生产的需要，增加炉产量 等离子体增强CVD装置 * MOCVD装置 MOCVD设备的进一步改进主要有三个方面：获得大面积和高均匀性的薄膜材料；尽量减少管道系统的死角和缩短气体通断的间隔时间，以生长超薄层和超晶格结构材料 * 履带式常压CVD装置 衬底硅片放在保持400℃的履带上，经过气流下方时就被一层CVD薄膜所覆盖。 * 模块式多室CVD装置 * 桶罐式CVD反应装置 对于硬质合金刀具的表面涂层常采用这一类装置，它的优点是与合金刀具衬底的形状关系不大，各类刀具都可以同时沉积，而且容器很大，一次就可以装上千的数量。 * 工艺参数 反应混合物 沉积温度 衬底材料 系统内总压和气体总流速 反应系统装置的因素 源材料的纯度 六、化学气相沉积工艺参数 * 化学气相沉积沉积法制备碳纳米管有序阵列 将2mol/L的Fe (NO3)3溶液、正硅酸乙酯、无水乙醇按16：25：32的比例混合，静置 24h制成溶胶。在适当大小的干净硅片表面滴加制备好的溶胶，然后用匀胶机使其催化剂在硅片表面形成一层均匀薄膜，自然晾干后，在 H2气氛下500℃还原10h，将Fe3+还原成Fe。还原出的Fe纳米颗粒即为制备碳管阵列所用的催化剂。 将附有催化剂薄膜的硅片置于管式炉中，加热至680℃，以30mL/min的流速通H2，恒温1h；之后通入C2H2和Ar的混合气体开始反应，C2H2流速为20ml/min，Ar流速为300mL /min，反应时间 20min后，即得到致密有序的碳纳米管阵列。 七、化学气相沉积工艺应用实例 * 样品由高纯的纳米碳管组成，碳管呈弯曲状相互缠绕在一起；碳纳米管呈中空结构，表面未见无定形碳存在，所得碳管结构为多晶。 * 碳管总体取向性良好，能够在硅衬底上形成致密的碳纳米管层，碳管直径分布均匀；但从单根碳纳米管来看，管壁较为弯曲，存在较多缺陷 * 脉冲等离子CVD制备多孔石墨电极层 实验采用C2H2-H2混合气体为源气体，C2H2/C2H2-H2=3/5，气体流速100ccm，气压50Torr，采用2cm见方的Al盘为基底，阴极与阳极间距(L)2cm，阳极和基底间距(D)为3cm。 CVD沉积系统 * 通过脉冲放电产生等离子体，在基底上沉积薄膜，实验用脉冲频率为800Hz，能率比为20%，峰值电流为1.4A，沉积时间10min，气体流速100ccm，采用热电偶测量基底温度。由Co(NO3)2·6H2O和Fe(NO3)3·9H2O合成的Co-Fe复合材料作为形成多孔结构的催化剂，催化剂膜在多孔碳层之前沉积到Al基上 表面SEM照片，可观察到试样表面凹凸不平，且多孔 * 薄膜中晶粒尺寸为0.05μm，微孔尺寸为0.1μm，这些类晶结构和多孔结构有助于形成大的表面积 晶粒中含大量黑线，线之间距离0.35nm，石墨层间距为0.35nm，因此，薄膜包含大量类石墨结构 * 制备富勒烯结构 实验中选用3个电阻加热炉，将称好的MoO3和S粉分别放在2个钼舟