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离子束技术简介 2010.5.24 1 紫外光束 离子刻蚀 去除剩余的光刻胶 图1.离子束刻蚀示意图 2 湿法与干法刻蚀 湿法刻蚀：合适的腐蚀液 干法刻蚀：适用于所有固体材料 Etchant Direction Etchant Direction Mask Mask Wafer Wafer Wet Etching Dry Etching 3 1. 分 类 湿法刻蚀----化学腐蚀 刻蚀 等离子刻蚀(PE) 反应离子刻蚀(RIE) 干法刻蚀 常规离子束刻蚀(IBE或IM) 反应离子束刻蚀(RIBE) 化学辅助离子束刻蚀(CAIBE） 感应耦合等离子体刻蚀(ICP） 4 2. 刻蚀技术简介 2.1 等离子刻蚀（PE----Plasma Etching) 2.1.1 等离子刻蚀原理 气体在高频电场（通常13.56MHz）作用下，产生 辉光放电，使气体分子或原子发生电离，形成等离子 体。在等离子体中，包含有正离子、负离子、游离基和 自由电子。游离基在化学上是很活泼的。 等离子刻蚀就是利用等离子体中的大量游离基和被 刻蚀材料进行化学反应，反应结果生成能够由真空系统 抽走的挥发性化合物，从而实现刻蚀的目的。 5 例如刻蚀气体A2在高能电场作用下，产生电 离，反应式可写成： 放电 A2+e- A*+A++2e- A*为中性游离基，A+为正离子，e-为电子。 如果刻蚀气体用CF4, 则产生游离