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本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 对刻蚀的要求 1 、适当的刻蚀速率 通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米。 2 、刻蚀的均匀性好（片内、片间、批次间） 刻蚀均匀性一般为 。大量硅片同时刻蚀时，刻蚀速 率会减小，这称为刻蚀的 负载效应 。 3 、选择比大 选择比指对不同材料的刻蚀速率的比值。 4 、钻蚀小 5 、对硅片的损伤小 6 、安全环保 5 % ? 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 钻蚀 （ undercut ）现象 对刻蚀速率的各向异性的定量描述 式中， R L 和 R V 分别代表横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率。 A = 1 表示理想的各向异性，无钻蚀； A = 0 表示各向同性， 有严重的钻蚀。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 刻蚀技术 湿法 干法 化学刻蚀 电解刻蚀 离子铣刻蚀（物理作用） 等离子体刻蚀（化学作用） 反应离子刻蚀（物理化学作用） 刻蚀技术的种类 与湿法化学刻蚀相比，干法刻蚀对温度不那么敏感，工艺 重复性好；有一定的各向异性；等离子体中的颗粒比腐蚀液中 的少得多；产生的化学废物也少得多。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 1 湿法刻蚀 湿法刻蚀是一种纯粹的化学反应过程。 优点 1 、应用范围广，适用于几乎所有材料； 2 、选择比大，易于光刻胶的掩蔽和刻蚀终点的控制； 3 、操作简单，成本低，适宜于大批量加工。 缺点 1 、为各向同性腐蚀，容易出现钻蚀； 2 、由于液体存在表面张力，不适宜于腐蚀极细的线条； 3 、化学反应时往往伴随放热与放气，导致腐蚀不均匀。 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 常用腐蚀液举例 1 、 SiO 2 腐蚀液 BHF ： 28 ml HF + 170 ml H 2 O + 113 g NH 4 F 2 、 Si 腐蚀液 Dash etch: 1 ml HF + 3 ml HNO 3 + 10 ml CH 3 COOH Sirtl etch: 1 ml HF + 1 ml CrO 3 ( 5 M 水溶液 ) Silver etch: 2 ml HF + 1 ml HNO 3 + 2 ml AgNO 3 （ 0.65 M 水 溶液），（用于检测外延层缺陷） Wright etch: 60 ml HF + 30 ml HNO 3 + 60 ml CH 3 COOH + 60 ml H 2 O + 30 ml CrO 3 ( 1g in 2 ml H 2 O ) + 2g (CuNO 3 ) 2 3H 2 O ， （此腐蚀液可长期保存） 本文档所提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模仿。文档如有不 当之处，请联系本人或网站删除。 3 、 Si 3 N 4 腐蚀液 HF H 3 PO 4 ( 140 o C ~ 200 o C ) 4 、 Al 腐蚀液 4 ml H 3 PO 4 + 1ml HNO 3 + 4 ml CH 3 COOH + 1ml H 2