半导体材料的发展现状和趋势专题培训课件.ppt

? 对 125 伏和 410 伏 6H-SiC pn 结整流器进行 中子辐照实验，中子流从 1013nA/cm2 ， 到 1015nA/cm2 ，时，辐照前后 1000mA 电流的正向压降和雪崩击穿电压的测试结 果说明：具有高掺杂的 125 伏整流器在正 向电流 400mA 的降压几乎不变 (30 伏 ) ，而 雪崩击穿电压仅增加了 8.8% ，而低掺杂 的 410 伏整流器正向压降和雪崩击穿电压 分别增加了 8.6% 和 4% 。 ? GaN 在宽禁带半导体中也占有主导地位。 GaN 半导体材料的商业应用研究始于 1970 年，其在 高频和高温条件下能够激发蓝光的特性一开始 就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。但 GaN 的生长技术和器件制造工艺直到近几年才取得 了商业应用的实质进步和突破。由于 GaN 半导 体器件在光电子器件和光子器件领域广阔的应 用前景，其广泛应用预示着光电信息乃至光子 信息时代的来临。 ? 1993 年日本的日亚化学公司研制出第一支蓝光 发光管， 1995 年该公司首先将 GaN 蓝光 LED 商 品化，到 1997 年某市场份额已达 1.43 亿美元。 据 Strategies Unlimited 的预测， GaN 器件年增 长率将高达 44% ，到 2006 年其市场份额将达 30 亿美元。目前，日亚化学公司生产蓝光 LED ， 峰值波长 450nm ，输出光为 3mw ，发光亮度 2cd(Ip=20mA) 。 GaN 绿光 LED ，峰值波长 525nm ，输出光功率为 2mw ，发光亮度 6cd(Ip=20mA) 。 ? 日亚化学公司利用其 GaN 蓝光 LED 和磷光 技术，又开发出白光固体发光器件产品， 不久将来可替代电灯，既提高灯的寿命， 又大大地节省能源。因此， GaN 越来越受 到人们的欢迎。 ? GaN 蓝光激光器也被日亚公司首先开发成 功，目前寿命已超过 10000hr 。与此同时， GaN 的电子器件发展也十分迅速。目前 GaNFET 性能已达到 ft=52GHz ， fmax=82GHz 。在 18GHz 频率下， CW 输 出功率密度大于 3W/mm 。这是至今报导 K 波段微波 GaNFET 的最高值。 多晶硅 ? 未来多晶硅的发展方向是进一步降低各种 杂质含量，提高多晶硅纯度并保持其均匀 性，稳定提高多晶硅整体质量和扩大供给 量，以缓解供需矛盾。另外，在单晶大直 径化的发展过程中，坩埚增大直径是有一 定限度的。对此，未来粒状多晶硅将可能 逐步扩大供需量。 （ 2 ）单晶硅和外延片 ? 生产单晶硅的工艺主要采用直拉法 (CZ) 、区 熔法 (FZ) 、磁场直拉法 (MCZ) 以及双坩埚拉晶 法。 CZ 、 FZ 和 MCZ 单晶各自适用于不同的电阻 率范围的器件，而 MCZ 可完全代替 CZ ，可部分 代替 FZ 。 MCZ 将取代 CZ 成为高速 ULI 材料。一 些硅材料技术先进的国家 MCZ 技术发展较快。 对单晶的主要质量要求是降低各种有害杂质含 量和微缺陷，根据需要控制氧含量并保持纵横 向分布均匀、控制电阻率均匀性。 ? 硅晶片属于资金密集型和技术密集型行业，在 国际市场上产业相对成熟，市场进入平稳发展 期，生产集中在少数几家大公司，小型公司已 经很难插手其中。 国际市场单晶硅产量排名 前 5 位的公司分别是日本信越化学公司（ Shin- Etsu ）、德瓦克化学公司（ Wacker ）、日本住 友金属公司（ Sumitomo ）、美国 MEMC 公司和 日本三菱材料公司。这 5 家公司 2001 年硅晶片的 销售总额为 51.47 亿元，占全球销售额的 79.1% ， 其中的 3 家日本公司占据了市场份额的 50.7% ， 表明日本在全球硅晶片行业中占据了主导地位。 ? 集成电路高集成度、微型化和低成本的要 求对半导体单晶材料的电阻率均匀性、金 属杂质含量、微缺陷、晶片平整度、表面 洁净度等提出了更加苛刻的要求，晶片大 尺寸和高质量成为必然趋势。目前全球主 流硅晶片已由直径 8 英寸逐渐过渡到 12 英 寸晶片，研制水平已达到 16 英寸。 ? 中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得 相当大的进展，先后研制和生产了 4 英寸、 5 英 寸、 6 英寸、 8 英寸和 12 英寸硅片。随着半导体 分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求 的增加，中国单晶硅产量逐年增加。据统计， 2001 年我国半导体硅材料的销售额达 9.06 亿元， 年均增长 26.4% 。单晶硅产量为 584t ，抛光片产 量 5183 万平方英寸，主要规格为 3 ～ 6 英寸， 6 英寸正片已供应集成电路企业， 8