三维封装与系统封装.docVIP

现代微电子封装材料及封装技术 第三部分 电子封装原理与技术 李 明 材料科学与工程学院 ?电子封装概论 ?引线框架型封装 ?球栅阵列型封装 ?二级电子封装（微组装） ?电子封装材料 ?三维电子封装及系统封装 社会需求与产业发展趋势 发展趋势： 微小化、多功能化、集成化 更大规模的多功能集 成、与人类健康相关 的生物电子产品会高 速发展 卫星通讯、移动通讯、 光通信、GPS导航等 领域将会更多地利用 高新电子产品 莫尔定律面临的挑战 芯片制造的挑战 ?接近物理极限 ?功耗接近极限 ?制造工艺极限 脑细胞（晶体管）尺寸已接近物理极限 Moores Law 是芯片上晶体管（脑细胞）尺寸 随时间不断缩小的规律 ? Intel创始人Gordon Moore ? 1965年提出 ? 集成电路的集成度，每18-24个月 提高一倍 ? 1960 以来，Moore定律一直有效 芯片制造22nm以下面临的问题 DRAM on logic Flas h DRAM 3D—IC集成将是芯片制造未来的选择 3D集成是实现超越莫尔定律的重要途径 Moore Law More than Moore ?脑细胞的尺寸减小 ? 神经网络尺寸/长度减小 ? 3D维立体化集成 3D系统集成与封 装具有更大的发展 潜力，将成为今后 的主流技术 3D系统封装（SIP）的主要优势 SIP——System in Package 将各种功能系统地集成到封装体内的封装方法 3DSIP主要优势 ?可有效利用立体空间 ?可以集成多种芯片和MEMS器件，有利于实现多功能、更大 规模的集成 ?提高封装密度，缩小封装体积 ?缩短引线长度，提高传输速度 ?节省材料，降低成本 ?进一步降低能耗 目前已实现的3D封装技术 Wirebond Wirebond + FC New Interconnection Single Chip Package Multiple Chip Package QFP Stacked Package BGA Stacked Die System-in-a-Package MCM PoP Flip Chip FC+WB PiP Chip Multi-Layer PCB Laminate 2 4 Layer Build-Up Substrat e 1995 2000 2005 2010 基于打线的3D-SIP封装技术 基于硅通孔（TSV）的3D-SIP技术 TSV——Through Silicon Via 通过硅通孔实现芯片间垂直互连和三维集成封装 主要优势 ■连线长度缩短到芯片厚度，传输距离减少到千分之一 ■可以实现复杂的多片全硅系统集成 ■可以显著减小RC延迟，提高计算速度 ■显著降低噪声、能耗和成本 Si / Glass Interposer MEMS RF IC 3D-IC PCB TSV-3D叠层封装与未来发展趋势 Memory RF?CIS?NAND?DRAM?cache on LOGIC MCP POP NAND DRAM Flash Flash Via : 1-5um Flash Flash Hole : 1000 Flash Flash Via : Flash t : 20-50um Flash ?Thin wafer Multi function 20um Dram by Laser Si Interposer ?Multi-layer on chip Hole : 100 Logic Sensor t=50um Dram t : 50um Dram Logic Via : 5-10um RF Hole : 100K L g c Analog DRAM t=200 Logic MPU um ? Small vias Multi Function CMOS ? Vias density Image Sensor High Speed CIS Si Interpose CIS Dram DSP t=200um Logic Via : Organic Interposer CIS 40um rganic Interposer Hole : Source: TEL Sematech 100 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2005 TSV硅通孔的基本构造 TSV封装中的关键技术 1. 硅孔制作 2. 绝缘层、阻挡层和种子层沉积 3. 硅孔导电物质填充 4. 晶圆减薄 5. 晶圆键合 TSV制造工艺 TSV制造工艺 ? “Via first” 工艺 Vias Thinning Bonding CMOS+BEOL 1)在CMOS之前 2) 在CMOS之后， B