内置MOSFET锂电池保护芯片+0).PDFVIP

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2020-05-09 发布于天津
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内置MOSFET锂电池保护芯片+0).PDF

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内置MOSFET锂电池保护芯片概述特性 HM5424F是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保 1内置36mΩ MOSFET 护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2超小超薄DFN2X2-6封装阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3内置过温保护充电过流，放电过压，放电过流，过热，短 4二重过放电流检测保护路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效 5超小静态电流和休眠电流的工作。 A 静态工作电流为1.7uA HM5424F采用 DFN2X2-6 封装，外围只需要一 B 休眠电流为0.3uA 个电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安 6符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品全可靠。应用典型应用图单节锂离子可充电电池组单节锂聚合物可充电电池组注：如需要接电芯后保护芯片自激活功能，电阻 R1 的阻值需限制在300Ω-1000Ω，典型值680Ω。封装和引脚管脚符号管脚描述 1 VDD 电源端 2,3 GND 芯片地，接电池芯负极 4,5,6 VM 充电器负电压接入端 7 EPAD 接芯片地订货信息过充检过充解过放检过放解过流检打印标型号封装测电压除电压测电压除电压测电流记（V）（V）（V）（V）（A） HM5424F DFN2X2-6 4.425 4.25 2.75 3.0 4.2 R424X 1/ 8 内置MOSFET锂电池保护芯片原理图 Figure 2.原理图绝对最大额定值参数符号最小值最大值单位供电电压 (VDD和GND间电压 ) VDD -0.3 8.0 V 充电器输入电压（VM和GND间电压) VM -5 10.0 V 存贮温度范围 TSTG -55 145 °C 结温 TJ -40 145 °C 功率损耗 T=25°C PMAX